STM32F205VGT6 时间：2024/4/3 15:19:20 阅读：372

STM32F205VGT6基于高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，工作频率高达120 MHz。STM32F205VGT6集成了高速嵌入式存储器(高达1mbyte的闪存，高达128kbytes的系统SRAM)，高达4kbytes的备份SRAM，以及广泛的增强型I/ o和外设，连接到两个APB总线，三个AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。STM32F205VGT6还具有自适应实时内存加速器(ART accelerator?)，允许在最高120 MHz的CPU频率下从闪存中实现相当于0等待状态程序执行的性能。该性能已通过CoreMark?基准测试验证。STM32F205VGT6提供三个12位adc，两个dac，一个低功耗RTC，十二个通用的16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用的32位定时器。真数随机发生器(RNG)。它们还具有标准和先进的通信接口。新的高级外设包括SDIO、增强的灵活静态内存控制(FSMC)接口(适用于100引脚或更多封装的设备)和CMOS传感器的摄像头接口。这些设备还配备了标准外设。

基础介绍

　　厂商型号：STM32F205VGT6

　　品牌名称：ST(意法半导体)

　　元件类别：MCU

　　封装规格：LQFP-100

特点

　　核心:Arm32位Cortex-M3 CPU(最大120 MHz)与自适应实时加速器(ART加速器)允许0等待状态执行

　　闪存、MPU、

　　150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)

　　·记忆

　　—最大1mbyte的Flash内存

　　—512字节OTP内存

　　-最大128 + 4kbytes的SRAM

　　-灵活的静态内存控制器

　　支持紧凑型闪存，SRAM, PSRAM, NOR和NAND存储器

　　- LCD并口，8080/6800模式

　　时钟、复位和供应管理

　　- 1.8 ~ 3.6 V应用供电+ I/ o

　　- POR, PDR, PVD和BOR

　　- 4至26 MHz晶体振荡器

　　-内部16 MHz工厂修剪RC

　　- 32 kHz振荡器的RTC校准

　　-内部32 kHz RC校准

　　低功耗模式

　　-睡眠、停止和待机模式

　　- VBAT提供RTC, 20 × 32位备份

　　寄存器和可选的4kbytes备份

　　静态存储器

　　3 × 12位，0.5μs adc，最多24通道

　　和多达6个MSPS在三重交错模式

　　2 × 12位D/A转换器

　　通用DMA: 16流控制器

　　具有集中式fifo和突发支持

　　最多17个计时器

　　-多达12个16位和两个32位定时器，

　　高达120兆赫，每个最多4

　　IC/OC/PWM或脉冲计数器

　　正交(增量)编码器输入

　　调试模式:SWD、JTAG、

　　Cortex-M3 Embedded Trace Macrocell

中文参数

商品分类	MCU微控制器	品牌	ST(意法半导体)
封装	LQFP-100_14x14x05P	包装	托盘
产品应用	通用类MCU	核心处理器	ARMCortex-M3
内核规格	32-位	速度	120MHz
连接能力	CANbus，I2C，IrDA，LINbus，MMC，SPI，UART/USART，USBOTG	外设	欠压检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT
I/O数	82	程序存储容量	1MB（1Mx8）
程序存储器类型	闪存	EEPROM容量	-
RAM大小	132Kx8	电压-供电(Vcc/Vdd)	1.8V~3.6V
数据转换器	A/D16x12b；D/A2x12b	振荡器类型	内部
工作温度	-40°C~85°C（TA）	安装类型	表面贴装型
基本产品编号	STM32F205	HTSUS	8542.31.0001