QFET-3028-TR1 时间：2025/9/15 17:57:03 阅读：9

QFET-3028-TR1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和 DC-DC 转换器等高频开关电源系统中。该器件采用了先进的平面技术，提供了出色的导通电阻和开关性能，同时具备良好的热稳定性与可靠性。QFET-3028-TR1 采用 TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装工艺，便于在高密度电路板上应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：130W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

QFET-3028-TR1 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）为 4.2mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高电流容量（110A）使其适用于大功率应用，如电源供应器、马达驱动器和电池充电器等。
　　此外，QFET-3028-TR1 的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，简化了 PCB 布局和组装流程。其栅极驱动电压范围宽，可在 10V 至 20V 之间稳定工作，适用于多种驱动电路配置。
　　该 MOSFET 的热阻（RθJC）较低，提高了在高温环境下的稳定性与可靠性，同时具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载条件下的耐用性。QFET-3028-TR1 还具有快速开关特性，减少了开关损耗，适合用于高频开关电源和同步整流电路。

应用

QFET-3028-TR1 主要应用于高效率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高电流能力和低导通电阻也使其适用于同步整流器、电源分配系统和高功率密度电源模块的设计中。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器和电池管理系统。