类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：连续27A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω
　　栅极电荷(Qg)：52nC
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功率耗散(Pd)：125W
　　漏极电容(Coss)：600pF
　　封装尺寸：TO-220AB
　　技术：超级结MOSFET

BBU27-200K是一款基于超级结技术的MOSFET，这使得它在高电压应用中具有显著的优势。超级结结构减少了导通电阻，同时保持了高电压耐受能力，从而提高了整体效率。此外，该器件具有低栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其低Rds(on)值使得在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了系统的能效。此外，BBU27-200K具有宽工作温度范围，使其适用于严苛的工业环境。
　　由于其出色的热稳定性和高耐用性，BBU27-200K能够在极端条件下长期工作，提供可靠的性能。该器件的高频特性使其适用于各种电源转换器和开关电源应用，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。

BBU27-200K广泛应用于多种高功率和高效率需求的电子系统中。例如，它常用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化控制系统以及电池管理系统。此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及各种工业电源模块，确保在高电压和高电流环境下稳定运行。
　　在开关电源设计中，BBU27-200K的低导通电阻和低开关损耗使其成为理想的功率开关元件。在电机控制应用中，它能够提供高效的电流控制能力，适用于无刷直流电机驱动和伺服控制系统。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制，提高能量利用率并延长电池寿命。

IRFZ44N, FDPF16N20, STP20NK20Z, TK20A20D