型号：UPW2F2R2MPD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6.9A
　　脉冲漏极电流（Idm）：27A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（@ Vgs=2.5V）
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（@ Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：430pF（@ Vds=10V）
　　反向传输电容（Crss）：80pF（@ Vds=10V）
　　栅极电荷（Qg）：7.8nC（@ Vgs=4.5V）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：UMPA（双芯片共源极配置）

UPW2F2R2MPD采用双MOSFET结构设计，内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，通常用于同步整流或双路开关控制，极大提升了电路集成度并减少了外围元件数量。每个MOSFET都具备极低的导通电阻，在4.5V栅压下仅为2.2mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流输出的DC-DC变换器中。该器件的低栅极电荷（Qg = 7.8nC）和低输入电容特性使其在高频开关应用中表现出优异的动态响应能力，减少了开关过程中的能量损耗，提高了电源转换效率。
　　该MOSFET采用了UMPA封装，尺寸极为紧凑，典型封装尺寸约为2mm x 2mm，适合高密度布局的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其小型化设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还通过优化引线布局降低了寄生电感和电阻，进一步增强了高频性能。此外，器件具有良好的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　UPW2F2R2MPD的工作结温范围为-55°C至+150°C，具备出色的热稳定性与环境适应能力，能够在严苛的工业和消费类环境中可靠工作。其阈值电压较低（0.6V~1.0V），支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或更低的控制IC输出，简化了驱动电路设计。同时，该器件具备较强的抗静电能力（HBM模式下可达2kV以上），增强了在装配和使用过程中的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，UPW2F2R2MPD基于罗姆成熟的沟槽型MOSFET技术，实现了载流子迁移率与导通电阻之间的最佳平衡。通过精细控制掺杂分布和栅极氧化层厚度，提升了器件的长期可靠性与耐久性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。

UPW2F2R2MPD广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的同步降压型DC-DC转换器，其中两个MOSFET分别作为主开关和同步整流器，实现高效率的能量转换。由于其低Rds(on)和小封装特性，特别适合用于电池供电设备，如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等，有助于延长电池续航时间并减少发热。
　　在电源管理系统中，UPW2F2R2MPD可用于负载开关或电源路径控制，实现对不同功能模块的上电时序管理与过流保护。其快速开关能力和低静态功耗使其在待机模式下也能保持高能效。此外，该器件还可用于电机驱动电路、LED背光驱动以及USB充电管理模块中，提供可靠的电流控制与短路保护功能。
　　在工业和消费类电子产品中，UPW2F2R2MPD常被用于多相电源架构中的并联配置，以分担电流负载并提升整体系统可靠性。其双芯片集成结构也适用于H桥驱动电路或双向开关应用，满足复杂控制需求。由于其优异的热性能和稳定性，该器件同样适用于高温环境下工作的嵌入式控制系统和传感器供电单元。

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　　 "UPW2F2R2MPC",
　　 "BUK7Y2R2-20H",
　　 "FDMS7682",
　　 "SISS10DN",
　　 "RTQ2022-2GPR"
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