工作频率范围：880 MHz - 915 MHz
　　输出功率：典型值 15 W（连续波）
　　增益：约 18 dB
　　效率：典型值 60%
　　漏极电压：最大 32 V
　　输入驻波比（VSWR）：最大 3:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　阻抗匹配：50Ω 输入/输出

RF7115SR 具有多个显著的技术特性，使其适用于高功率射频放大器应用。
　　首先，该器件基于先进的 LDMOS 技术制造，提供高功率密度、优异的线性性能以及良好的热稳定性。LDMOS 晶体管通常用于高频应用，具有较高的增益带宽积，使得 RF7115SR 在 880 MHz 至 915 MHz 范围内能够维持稳定的放大性能。
　　其次，RF7115SR 的输出功率典型值为 15W，能够在连续波（CW）模式下运行，适用于多种高功率应用，例如蜂窝基站、无线基础设施设备以及工业射频加热系统。该晶体管的典型增益为 18 dB，这意味着它能够在相对较低的输入功率下实现高效的功率放大，从而降低整个系统的功耗和复杂性。
　　此外，该器件的效率典型值为 60%，这在高功率射频晶体管中属于较高水平，有助于减少散热需求并提高整体系统能效。RF7115SR 的漏极电压最大支持 32V，使其在电源设计上具有一定的灵活性，并且在不同的供电条件下都能保持稳定运行。
　　从封装角度来看，RF7115SR 采用表面贴装（SMT）封装形式，便于自动化装配和高密度电路板布局，同时具备良好的热管理能力。输入和输出阻抗为 50Ω，与大多数射频系统匹配良好，减少了外部匹配网络的复杂度。
　　最后，该器件的输入驻波比（VSWR）最大为 3:1，在非理想匹配条件下仍能保持较高的性能，从而提高系统的可靠性和抗干扰能力。

RF7115SR 的主要应用领域包括蜂窝通信基础设施、基站功率放大器（BTS）、无线本地环路系统、射频测试设备以及工业和医疗射频设备等。
　　在蜂窝通信领域，RF7115SR 可用于构建高功率射频放大器模块，适用于 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等多种无线通信标准的基站系统。其高效率和高线性度特性使其成为多载波基站放大器的理想选择。
　　此外，该器件也适用于无线测试设备和测量仪器，作为高功率信号源或放大器使用。在工业和医疗射频系统中，RF7115SR 可用于射频能量传输、材料处理、等离子体生成等应用。
　　由于其表面贴装封装设计，RF7115SR 在高密度 PCB 布局中具有良好的适用性，适合用于自动化制造流程，提高生产效率和产品一致性。

RF7115SR 的替代型号包括 RF7113SR、RF7117SR 以及类似的 Qorvo LDMOS 射频功率晶体管，如 MRF6VP2150N 或 MRF6S2150N 等。