时间：2025/10/7 20:15:34
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UPW2E2R2MPD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench MOS技术制造，专为高效率、低功耗应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装PowerSSOP8封装中，具有低导通电阻和优良的热性能，适合在空间受限且对散热有要求的应用场景中使用。UPW2E2R2MPD主要用于负载开关、电源管理、电池供电设备以及DC-DC转换器等电路中，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。其额定电压为-20V，最大连续漏极电流可达-6.5A，适用于中等功率级别的开关控制任务。得益于其快速的开关速度和低栅极电荷特性，该MOSFET在高频开关应用中表现出色，同时减少了开关损耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗ESD能力，增强了在实际应用中的可靠性。UPW2E2R2MPD的设计注重稳定性和耐用性，能够在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）稳定工作，确保在各种严苛环境下的长期运行性能。
型号：UPW2E2R2MPD
通道类型：P沟道
漏源电压(VDSS)：-20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-6.5A
脉冲漏极电流(IDM)：-13A
导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS = -8V
栅极电荷(Qg)：9nC @ VGS = -10V
输入电容(Ciss)：420pF @ VDS = -10V
开启延迟时间(Td(on))：8ns
关断延迟时间(Td(off))：18ns
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerSSOP8
UPW2E2R2MPD的核心优势之一在于其极低的导通电阻，这使得在大电流通过时产生的功率损耗显著降低，从而提升了系统的整体效率。该器件在VGS = -8V条件下的RDS(on)仅为17mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，非常适合用于电池供电设备中的电源开关，以延长电池续航时间。其低RDS(on)还意味着发热更少，有助于简化热管理设计，甚至在许多情况下无需额外的散热措施。
该MOSFET采用ROHM独有的Trench结构技术，优化了载流子迁移路径，提高了沟道密度，从而在不增加芯片面积的前提下实现了更低的导通电阻和更高的电流承载能力。同时，这种结构设计也改善了器件的开关特性，使其具备更快的开启和关断速度，减少开关过程中的交越损耗，特别适用于高频DC-DC转换器或同步整流应用。
UPW2E2R2MPD的栅极电荷（Qg）仅为9nC，这一低值意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低控制器的驱动负担，尤其适合与低功耗MCU或逻辑IC直接接口。此外，较低的输入电容（Ciss = 420pF）进一步提升了其高频响应能力，使器件在快速切换状态下仍能保持稳定性能。
PowerSSOP8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有优异的散热性能，引脚布局经过优化，便于布线和自动化贴装。该封装还具备良好的机械强度和耐湿性，适用于回流焊工艺，满足现代电子产品高密度组装的需求。综合来看，UPW2E2R2MPD在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源管理应用的理想选择。
UPW2E2R2MPD广泛应用于各类便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等，作为负载开关或电池电源路径管理的关键元件。在这些设备中，它可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔保护。此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，替代传统的肖特基二极管，以提高转换效率并减少发热。
在工业控制领域，UPW2E2R2MPD可用于传感器模块、PLC输入输出单元或小型电机驱动电路中的电源开关，提供可靠的过流和短路保护。其宽工作温度范围使其适用于户外或恶劣环境下的电子系统。在消费类电子产品如数码相机、电子书阅读器和蓝牙耳机中，该MOSFET可用于音频放大器的电源控制或显示屏背光调节电路。
由于其支持逻辑电平驱动，UPW2E2R2MPD可以直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。它还可用于USB电源开关、热插拔控制器、电源多路复用器以及电池充电管理电路中，发挥其快速响应和低静态功耗的优势。总之，凡是对空间、效率和可靠性有较高要求的低压直流电源控制系统，均可考虑采用UPW2E2R2MPD作为核心开关元件。
AP2302GN, Si3443CDV, FDN360P, NDP2113P
