电容值：47μF
　　额定电压：50V
　　电容公差：±20%
　　温度特性：X5R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：1.6mm
　　直流偏压特性：典型值在额定电压下电容下降约30%-50%
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 R × C ≥ 500Ω·F（取较大值）
　　耐久性：在额定电压和+85°C环境下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的-15%~+25%

URZ1H470MDD1TD作为一款高性能X5R材质的多层陶瓷电容器，具备出色的电容稳定性与温度适应能力。X5R介电材料确保其在-55°C至+85°C的宽温度范围内，电容值的变化控制在±15%以内，相较于Y5V等材料具有更优的温度稳定性，适合对电容精度有较高要求的应用场景。该器件采用高层数叠层结构设计，实现小体积下大容量的集成，47μF的电容值在1210封装中表现出较高的体积效率。
　　该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频开关电源环境中能够有效抑制电压波动，提升系统的瞬态响应能力，特别适用于Buck转换器、Boost转换器等DC-DC变换电路中的输出滤波或输入去耦环节。此外，低ESR也有助于减少电容器自身发热，提高系统整体效率和长期可靠性。
　　URZ1H470MDD1TD还具备良好的直流偏压特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，仍能保留较高比例的有效电容值，虽然相比标称值会有一定程度的下降（通常在30%-50%之间），但优于许多同类产品。这一特性使其在实际应用中更具实用性，特别是在电源轨较窄但需大容量支持的场合。
　　该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查阅具体规格书确认），表明其具备车规级可靠性，可用于汽车电子系统。同时，产品采用镍阻挡层端子电极结构，增强了抗硫化能力和焊接可靠性，适合在恶劣环境如高湿、高温或含硫气氛中长期运行。其三层金属化端子（Ni-Sn）设计也提升了与PCB焊点的结合强度，降低了热循环引起的开裂风险。
　　此外，URZ1H470MDD1TD支持回流焊工艺，兼容JEDEC标准的无铅焊接曲线，适用于现代SMT生产线。由于其非磁性材料特性，不会干扰周围敏感电路，因此也可用于射频模块或精密模拟信号路径附近进行去耦。综合来看，该电容器是兼顾性能、可靠性和可制造性的优选元件。

URZ1H470MDD1TD广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为电源管理电路中的关键去耦和滤波元件。在DC-DC转换器中，常被用作输入和输出端的滤波电容，以平滑开关噪声并稳定电压输出，其低ESR特性有助于降低纹波电压并提升转换效率。在FPGA、ASIC、微处理器和内存模块的供电网络（PDN）中，该电容器可有效应对瞬态电流需求，防止因电源跌落导致的逻辑错误或系统复位。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电视中，URZ1H470MDD1TD用于主电源轨的旁路和储能，保障芯片稳定运行。其小型化封装和高容量特性使其成为高密度PCB布局的理想选择。在通信设备如基站、路由器和光模块中，该电容器用于电源稳压和噪声抑制，确保高速信号链路的完整性。
　　工业控制系统、PLC、传感器模块和医疗设备也普遍采用此类高可靠性MLCC，以满足长时间运行和复杂电磁环境下的稳定性需求。此外，在汽车电子领域，包括车载信息娱乐系统、ADAS模块、车身控制单元和电动助力转向系统中，该电容器可承受振动、温度循环和湿度变化，提供持久的电气性能。由于其符合环保标准且具备良好焊接性，也适用于自动化大规模生产环境。

GRM32DR71H476ME12L
　　CL32A476MQHNNNE
　　C3225X5R1H476M25T