时间：2025/10/8 11:10:30
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UPW2C3R3MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的工艺技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的Power-MPAK（S）封装中，具有优异的热性能和电气特性，适用于需要低导通电阻和快速开关响应的应用场景。UPW2C3R3MPD通过优化的芯片结构设计，在确保高可靠性的同时实现了极低的RDS(on)值，从而降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这款MOSFET特别适合用于电池供电设备、便携式电子产品以及各种DC-DC转换器拓扑结构中。其主要优势包括小型化封装、良好的散热能力、低阈值电压以及出色的抗雪崩能力和抗静电放电（ESD）性能。此外，UPW2C3R3MPD符合RoHS环保标准，并且不含卤素，满足现代绿色电子产品的设计要求。由于其高性能与小尺寸的结合，该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他对空间和能效有严格要求的消费类电子设备中的负载开关、电源路径管理和反向电流阻断电路中。
型号：UPW2C3R3MPD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-5.4A（@VGS = -4.5V）
脉冲漏极电流(IDM)：-16A
导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ（@VGS = -4.5V）
导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ（@VGS = -2.5V）
栅极阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
输入电容(Ciss)：1370pF（@VDS=10V）
输出电容(Coss)：460pF（@VDS=10V）
反向传输电容(Crss)：50pF（@VDS=10V）
开启延迟时间(td(on))：7ns
关断延迟时间(td(off))：19ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：Power-MPAK(S)
UPW2C3R3MPD具备多项关键特性，使其成为高性能电源管理系统的理想选择。首先，其极低的导通电阻RDS(on)显著减少了在大电流条件下的功率损耗，提升了系统整体效率。在VGS=-4.5V时，RDS(on)仅为3.3mΩ，而在更低的驱动电压如-2.5V下仍保持在4.3mΩ，这表明该器件即使在低电压控制环境下也能维持优异的导通性能，非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用。这种低阈值特性还增强了其在电池供电系统中的适用性，有助于延长设备续航时间。
其次，该MOSFET采用了ROHM专有的Power-MPAK(S)封装技术，这种封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且通过优化内部引线和焊料连接方式，大幅改善了热传导路径，提升了散热效率。相比传统封装形式，它能够在不增加额外散热措施的情况下承受更高的持续电流，从而提高功率密度。此外，该封装具有较强的机械稳定性和耐久性，能够在振动或冲击环境中保持可靠连接。
再者，UPW2C3R3MPD展现出卓越的开关速度，开启延迟时间为7ns，关断延迟时间为19ns，配合较低的寄生电容（Ciss=1370pF），使其在高频开关应用中表现出色，有效降低开关损耗。这对于同步整流、负载开关和快速响应电源切换等应用场景至关重要。
最后，该器件具备良好的抗雪崩能力和高抗ESD性能，能够在瞬态过压和静电干扰条件下保护自身及周边电路，提升整个系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也保证了在极端环境温度下的稳定运行，适用于工业级和汽车级电子产品。综上所述，这些综合特性使UPW2C3R3MPD在追求高效、紧凑和高可靠性的现代电源设计中占据重要地位。
UPW2C3R3MPD广泛应用于多种需要高效能P沟道MOSFET的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机和平板电脑中的电池电源路径控制，能够实现快速开启/关闭外设电源以节省能耗。在DC-DC转换器中，该器件常被用作高端开关或同步整流器，特别是在降压（Buck）转换器拓扑中，利用其低RDS(on)减少传导损耗，提升转换效率。此外，它还可用于OR-ing二极管替代方案，在冗余电源系统中防止反向电流流动，同时降低压降和发热问题。在热插拔电路中，UPW2C3R3MPD可用于控制电源接入时机，限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。由于其优良的开关特性和封装散热性能，该器件也适用于电机驱动、LED驱动电源以及各类工业控制模块中的电源管理单元。得益于其小型化封装和高可靠性，UPW2C3R3MPD同样适合空间受限但对性能要求较高的可穿戴设备、物联网终端和医疗电子设备中的电源控制环节。总之，凡是需要低导通损耗、快速响应和高集成度的P沟道开关应用，UPW2C3R3MPD都是一个极具竞争力的选择。
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