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FDS4450 发布时间 时间:2025/6/29 3:52:34 查看 阅读:4

FDS4450 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场合,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
  FDS4450 的主要特点是其较低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在功率转换应用中具有较高的效率和较低的功耗。此外,该器件还具备良好的热性能和电气特性,能够适应多种复杂的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  开关速度:较快
  封装形式:SOT-23

特性

FDS4450 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:Rds(on) 典型值为 80mΩ(在 Vgs=10V 的情况下),可降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 小型封装:采用 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  3. 快速开关能力:栅极电荷较低(7nC 典型值),有助于实现快速开关,减少开关损耗。
  4. 高可靠性:具备较高的雪崩击穿能力和 ESD 抗扰度,能够在恶劣环境下稳定工作。
  5. 广泛的工作温度范围:支持 -55°C 至 +150°C 的结温范围,适用于工业及汽车级应用。

应用

FDS4450 可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正。
  2. DC-DC 转换器中的开关管或同步整流器。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 便携式设备中的电源管理模块。
  5. 电机驱动电路中的功率开关。
  6. 各种保护电路中的电子保险丝或过流保护元件。

替代型号

FDP5802, AO3400, IRF7407

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