电容：820μF
　　额定电压：50V DC
　　容差：±20%
　　温度特性：X5R（-55°C至+85°C，电容变化率±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　尺寸（EIA）：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：2.5mm
　　直流偏压特性：在额定电压下电容下降约40%-60%（典型X5R材料特性）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ或RC≥500Ω·F（取较大者）
　　耐久性：在额定电压与+85°C环境下连续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的-15%~+25%，tanδ变化不大于初始值的1.5倍

UPW1H821MHD具备优异的电气稳定性与机械可靠性，其核心优势体现在多个方面。首先，该电容器采用先进的叠层陶瓷工艺制造，内部电极使用贵金属材料（如镍或铜内电极），有效提升了产品的抗老化能力和温度循环耐受性。这种结构设计不仅增强了元件在热应力下的稳定性，还显著降低了因温度波动引起的电容漂移现象，使其在宽温范围内仍能维持良好的电性能。
　　其次，该型号具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频去耦和电源旁路应用中表现出色。在开关电源、DC-DC转换器等高频噪声抑制场合，能够快速响应瞬态电流变化，减少电压波动，从而提高系统整体的稳定性与效率。同时，低ESR也意味着更少的能量损耗和发热，有助于延长设备寿命并提升能效。
　　再者，UPW1H821MHD通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压测试（例如85°C/85%RH条件下持续1000小时）、热冲击测试以及长期负载寿命试验，确保在恶劣环境条件下依然保持功能完整性。这对于工业控制、汽车电子和通信基础设施等对可靠性要求极高的领域尤为重要。
　　最后，该产品符合AEC-Q200等车规级可靠性标准（视具体批次而定），支持回流焊工艺，并具备良好的可焊性和耐焊接热性能。其包装形式通常为编带卷装，适用于高速贴片机自动装配，适合大规模量产需求。

UPW1H821MHD广泛应用于多种需要稳定电容性能和较高电压耐受能力的电子系统中。在电源管理单元（PMU）中，常用于输入/输出滤波电容，配合稳压器或DC-DC模块实现平滑电压输出，抑制纹波干扰。由于其具备较高的电容值和适中的体积，特别适合空间受限但又需一定储能能力的设计场景。
　　在通信设备中，如基站、光模块和网络交换机，该电容器可用于信号链路的去耦和旁路，防止高频噪声串扰，保障数据传输的完整性。在工业自动化控制系统中，如PLC、变频器和传感器模块，UPW1H821MHD可作为局部储能元件，在瞬时负载变化时提供快速能量响应，避免系统复位或误动作。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，例如高端显示器、智能电视、游戏主机和笔记本电脑主板上的电源轨去耦。在这些应用中，它帮助维持核心芯片（如GPU、CPU）供电的纯净度，提升运行稳定性。对于部分车载电子系统，如信息娱乐系统、ADAS传感器电源调理电路，若满足车规认证要求，也可替代传统钽电容使用，兼具安全性与性价比。
　　由于其X5R介质材料具有相对稳定的温度特性，相比Y5V等类型更适合在温变较大的环境中工作，因此在户外设备、工业环境或封闭散热不佳的机箱内更具优势。总体而言，UPW1H821MHD是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的通用型高压MLCC，适用于多领域中对电容稳定性要求较高的场合。

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　　 "GRM32ER71H821KA12L",
　　 "C3225X5R1H821K250AC",
　　 "CL31B821KBHNNNE",
　　 "EMK325BJ821KV",
　　 "DME315X5R1H821KG"
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