BU941R 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电流、高电压应用而设计,常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、照明系统以及汽车电子等需要高效能功率开关的场合。BU941R 采用了 ROHM 的先进制造工艺,确保了其在高负载条件下的稳定性和可靠性。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A(Tc=25°C)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
导通电阻(Rds(on)):约 0.025Ω(典型值,Vgs=10V)
BU941R 具备低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体系统的效率。该器件能够承受高达 100V 的漏源电压,并且支持高达 50A 的连续漏极电流,适合用于高功率密度的设计。此外,其 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能,能够有效地将热量传导至散热片或其他散热装置,从而保持器件在高负载下的稳定性。BU941R 还具备良好的热稳定性和抗过载能力,能够在苛刻的工作环境下保持正常运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,可在 +10V 至 +20V 之间正常工作,使其兼容多种驱动电路。由于其增强型特性,BU941R 在栅极电压为零时处于关断状态,从而避免了意外导通的风险。此外,ROHM 的生产工艺确保了 BU941R 在高温条件下仍能保持稳定的电气性能,从而延长器件的使用寿命并提高系统可靠性。
BU941R 常用于各种高功率电子设备中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机控制器、LED 照明系统、工业自动化设备、电池管理系统(BMS)以及汽车电子控制系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效能功率开关的应用场景。例如,在汽车电子中,BU941R 可用于车载充电器、电动助力转向系统、启动电机控制等应用。在工业领域,该器件常用于变频器、伺服电机控制和电源管理系统。
IRFZ44N, FDP5N50, STP55NF06, FQP50N06