RSQ035N03FRA 时间：2025/6/20 14:20:02 阅读：3

RSQ035N03FRA 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关电源、电机驱动和负载开关等应用场合。
　　该芯片主要以表面贴装形式封装，具体为 TO-263-3 封装（D2PAK），能够提供良好的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：38A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：26nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

RSQ035N03FRA 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），在典型值为 1.4mΩ 的情况下，能够显著减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，该器件具备出色的热性能，使其能够在高温环境下稳定运行。它还拥有较低的栅极电荷，从而支持更高的开关频率，适合高频 DC-DC 转换器和其他高频应用。
　　该芯片内置了 ESD 保护功能，提高了其在复杂环境中的可靠性，并且采用了无铅材料设计，符合环保标准。
　　其高电流承载能力与低热阻的结合，使其成为工业、汽车以及消费电子领域中高性能功率管理的理想选择。

应用

RSQ035N03FRA 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动
　　3. 高效负载开关
　　4. 汽车电子系统中的电池管理
　　5. 工业自动化设备中的功率控制
　　由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合需要大功率输出的应用场景。