类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：30A
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 3.0mΩ（典型值 2.5mΩ）
　　功率耗散 (Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

CRTD030N03L 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，从而提高整体效率。其低 Rds(on) 特性也减少了热量的产生，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
　　此外，CRTD030N03L 使用了先进的沟槽技术，提供了卓越的开关性能，适用于高频开关应用。它的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和高耐用性，能够在恶劣的工作条件下保持良好的性能。其封装形式为 TO-252（DPAK），便于安装和散热管理。
　　另外，CRTD030N03L 的设计使其在导通和关断时的电压和电流应力较小，延长了器件的使用寿命，并减少了对外部保护电路的依赖。

CRTD030N03L 常用于各种功率电子设备中，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制器等。由于其低导通电阻和高效率，它特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
　　在电源管理系统中，CRTD030N03L 可以作为主开关或同步整流器使用，以提高整体效率并减少热量产生。在电池供电设备中，它能够延长电池寿命并提高系统的稳定性。
　　此外，CRTD030N03L 也适用于需要快速开关和高效率的电机控制应用，如无刷直流电机驱动器和伺服控制系统。

Si4410BDY, IRF3710, FDS6680, IPB033N03L