时间：2025/10/6 22:29:19
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UPV1V101MGD1TD是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench MOS结构技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在小型、表面贴装的CST3（双侧冷却DFN）封装中，尺寸紧凑，适合对空间要求严格的便携式电子设备和高密度电路板布局。UPV1V101MGD1TD的主要优势在于其低导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热性能，得益于其双侧冷却结构，能够有效将热量从芯片传导至PCB或外部散热器，从而提升功率处理能力和长期工作稳定性。该器件通常用于负载开关、电池供电设备的电源切换、DC-DC转换器以及各类电源管理系统中。由于其P沟道特性，驱动电路设计相对简单，尤其适用于低边或高边开关应用，无需复杂的电荷泵电路即可实现完全导通。ROHM的产品线以高可靠性和严格的品质控制著称，因此UPV1V101MGD1TD也广泛应用于工业、消费类电子及汽车辅助系统等领域。
型号：UPV1V101MGD1TD
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-1.1A（TA=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：-3.3A
导通电阻RDS(on)：1.0Ω（VGS=-4.5V, ID=-1A）
导通电阻RDS(on)：1.1Ω（VGS=-2.5V, ID=-1A）
栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
输入电容（Ciss）：约300pF（VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz）
反向恢复时间（trr）：典型值约10ns
功耗（Ptot）：1W（TC=25°C）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：CST3（DFN2020）
UPV1V101MGD1TD采用ROHM专有的Trench MOS工艺，实现了优异的导通性能和开关特性。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=-4.5V条件下RDS(on)仅为1.0Ω，显著降低了在负载开关或电源切换过程中的功率损耗，有助于提升系统能效并减少发热。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在VGS=-2.5V时RDS(on)为1.1Ω，适用于3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了电路设计并降低成本。CST3封装具有双侧冷却能力，顶部和底部均可进行热传导，极大增强了散热效率，使器件在有限空间内仍能承受较高的持续电流和瞬态负载。这种封装还具备优良的机械稳定性和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。
该MOSFET具备良好的栅极氧化层可靠性，能够承受±12V的栅源电压，提高了在实际应用中的抗干扰能力和耐压裕度。其较宽的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境下的工业与车载应用。器件的反向恢复时间较短，体二极管性能良好，在某些开关拓扑中可减少反向恢复损耗，提升系统动态响应。此外，ROHM对产品实施严格的出厂测试和质量管控，确保每一批次器件的一致性和长期可靠性。该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的设计要求。其小型化封装（2.0mm x 2.0mm）特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品。综合来看，UPV1V101MGD1TD在性能、尺寸、热管理和可靠性之间取得了良好平衡，是中低功率P沟道MOSFET应用中的优选器件。
UPV1V101MGD1TD广泛应用于需要高效、小型化电源开关解决方案的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源启停控制。在电池供电系统中，该器件可用于电池端的电源路径管理，实现电池充放电隔离或备用电源切换，有效防止反向电流和过载风险。此外，它也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高边开关电路，尤其是在输入电压较低（如5V或3.3V系统）的情况下，其低阈值电压和低导通电阻特性可显著提升转换效率。在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC模块、传感器供电控制和小功率继电器替代方案，实现固态开关功能，提高系统响应速度和寿命。汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐系统、USB充电端口和LED照明控制，也是其重要应用方向。由于其封装小巧且散热性能优越，适合安装在高密度PCB上，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。同时，其可靠的电气特性和宽温工作范围，使其能够在高温或低温环境下稳定运行，适用于户外设备、工业仪表和汽车舱内电子单元。
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