类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA（在Vds=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约300Ω（典型值，Vgs=10V）
　　耗散功率（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOP-6

2SK947MR MOSFET 具备多项优异的电气和物理特性，适用于高效率和高频率的应用场景。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值约为300Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，2SK947MR 支持较高的栅源电压（±20V），提高了器件的稳定性和抗干扰能力，适用于各种开关电源和负载管理电路。
　　此外，该MOSFET的最大漏源电压为30V，最大漏极电流为100mA，适用于低功率高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动电路等。
　　其小型SOP-6封装形式不仅节省PCB空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺的应用，适合高密度电子产品的设计需求。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境下的可靠运行，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域。
　　2SK947MR 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提升电路响应速度，适用于高频PWM控制电路。
　　综合来看，2SK947MR 是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的N沟道MOSFET，适用于现代电子设备中对能效和空间有较高要求的场合。

2SK947MR MOSFET 主要应用于以下几类电子电路和系统：
　　1. **DC-DC转换器**：适用于低功率升压（Boost）或降压（Buck）转换电路，用于电池供电设备、电源适配器等。
　　2. **负载开关控制**：可用于控制小型负载的开启与关闭，如LED灯、小型电机或传感器模块的电源管理。
　　3. **信号切换电路**：由于其高速开关特性，适用于高频信号的切换和控制，如在通信设备或音频电路中作为开关元件。
　　4. **电源管理系统**：用于便携式电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　5. **工业控制电路**：用于PLC、传感器控制、继电器驱动等工业自动化系统中，作为低功率开关器件使用。
　　6. **汽车电子系统**：适用于车载电子设备中的电源管理、信号控制及LED照明系统等。
　　7. **消费类电子产品**：如数码相机、音响设备、遥控器等产品中的开关电源和控制电路。
　　这些应用场景都得益于2SK947MR 的低导通电阻、小封装尺寸和高稳定性，使其成为低功率高频电路中的理想选择。

2SK1257, 2SK2545MR, 2SK3018MR, 2SK3466MR