时间：2025/5/9 18:40:45
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2N7002KM 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于需要低电压驱动和快速开关的电路中。其设计使其非常适合用于信号切换、负载开关以及高频应用等场合。
2N7002KM 的特点是低漏源导通电阻 (Rds(on)) 和较低的栅极电荷，这使得它在功率效率和开关速度方面表现优异。此外，由于其小型化封装和高可靠性，它在便携式电子设备和其他紧凑型系统中非常受欢迎。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏电流(Id)：300mA
漏源导通电阻(Rds(on))：1.8Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：400mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷(Qg)：4nC（典型值）
输入电容(Ciss)：15pF（典型值）
2N7002KM 具有以下显著特性：
1. 高开关速度：由于其低栅极电荷，该器件能够在高频应用中提供高效的性能。
2. 小尺寸封装：采用标准 SOT-23 封装，适合空间受限的应用。
3. 低导通电阻：确保了较高的功率效率并减少了热量产生。
4. 可靠性强：即使在恶劣的工作环境下，如高温或低温条件下，仍然保持稳定的性能。
5. 易于驱动：较低的栅极阈值电压使其能够由大多数逻辑电路直接驱动。
这款 MOSFET 常用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 各种消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
3. 数据通信设备中的信号切换。
4. 工业控制系统的驱动电路。
5. 电池供电设备中的功率管理模块。
2N7002,
BS108,
FDN305P,
BSS138
