类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：3A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：500V

CS3N50A3R具有多项优异的电气和机械特性，适用于各种高要求的功率应用。首先，其500V的漏源电压能力使其适用于高电压环境，如开关电源和电机驱动器。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为2.5Ω，能够在导通状态下提供较低的功率损耗，提高系统效率。此外，CS3N50A3R采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
　　该MOSFET具备较高的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其栅极阈值电压范围为2~4V，适用于多种驱动电路设计，兼容标准逻辑电平控制。同时，CS3N50A3R的封装设计符合RoHS环保标准，符合现代电子产品对环保材料的要求。
　　在高频开关应用中，CS3N50A3R表现出良好的动态性能，具备较低的开关损耗。其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）分别为1200pF和300pF，有助于减少高频工作时的驱动损耗。此外，该器件的反向恢复时间（trr）较短，适用于整流和同步整流等应用。CS3N50A3R还具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。

CS3N50A3R广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等。在开关电源中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，CS3N50A3R可提高系统的效率并减少热量产生，适用于高频率操作环境。
　　在工业自动化和电机控制应用中，CS3N50A3R可用于驱动直流电机和步进电机，提供稳定的功率输出并减少能量损耗。在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制，确保电池的安全运行。此外，CS3N50A3R还可用于LED驱动器、照明控制系统和家用电器中的功率开关模块。
　　由于其高耐压能力和良好的热稳定性，CS3N50A3R也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车用逆变器等。在这些应用中，CS3N50A3R能够承受较高的电压和电流应力，确保系统在严苛环境下的稳定性和可靠性。

STP3NK50Z, IRF840, FQP50N06