型号：UPV1A101MGD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-1.9A（@ Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-4.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：100mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　栅极电荷（Qg）：3.5nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：230pF（@ Vds = 10V）
　　输出电容（Coss）：140pF
　　反向恢复时间（trr）：未内置体二极管（或极小）
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：CST3（SOT-723）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UPV1A101MGD采用ROHM专有的Trench结构工艺制造，这种先进的制造技术显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。其低至75mΩ的Rds(on)在同类P沟道MOSFET中表现出色，尤其在低电压、中等电流的应用中具有明显优势。该器件的低栅极电荷（Qg = 3.5nC）和低输入电容（Ciss = 230pF）使其能够实现快速开关响应，适用于高频开关电源和同步整流等对开关速度要求较高的场合。此外，由于其P沟道特性，在用作高端开关时可以直接由逻辑信号驱动，无需复杂的电平移位电路，这不仅简化了PCB布局，还降低了外围元件数量和系统总成本。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，确保在各种环境条件下都能保持稳定的电气性能。其CST3小型封装尺寸仅为1.0mm × 1.0mm × 0.4mm，极大节省了PCB空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端和其他超薄便携式电子产品。尽管是P沟道器件，但其电气特性接近部分N沟道器件的表现，填补了传统P沟道MOSFET性能不足的空白。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性测试的部分验证，表明其在汽车电子领域也具备一定的应用潜力。
　　UPV1A101MGD还具备优异的抗瞬态过压能力，最大漏源电压为-20V，能有效应对电源波动和反向电动势冲击。其阈值电压范围控制在-0.6V到-1.0V之间，确保了良好的开启一致性，避免因阈值漂移导致误动作。同时，该器件支持-1.9A的连续漏极电流，在轻载和中等负载条件下表现稳定，适合作为负载开关或电池保护电路中的主控开关元件。综合来看，UPV1A101MGD凭借其小型化、高效能和高可靠性，成为现代低功耗电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

UPV1A101MGD广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，用于实现电池供电系统的通断控制和节能管理。在这些设备中，它常被用作负载开关，以切断不工作模块的电源，从而降低待机功耗，延长续航时间。此外，该器件也适用于DC-DC转换器中的同步整流电路，尤其是在升压或降压拓扑中作为上桥臂开关使用，利用其P沟道特性实现简化的驱动方式。
　　在工业控制和通信设备中，UPV1A101MGD可用于隔离不同电源域之间的连接，防止反向电流流动或实现电源冗余切换。其快速开关能力和低导通损耗使其适合用于热插拔电路和电源多路复用器设计。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电路径的控制开关，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。由于其封装小巧且热性能良好，也可用于密集型PCB布局的嵌入式系统和模块化电源单元。
　　此外，该器件还可用于LED驱动电路中，作为恒流源的开关元件，控制LED的亮灭或调光功能。在传感器供电管理中，UPV1A101MGD可用于按需上电，减少系统整体能耗。其高可靠性与宽工作温度范围也使其适用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、仪表盘电源控制和车身电子模块等。总之，凡是需要小型、高效、可靠的P沟道功率开关的场景，UPV1A101MGD都是一个理想的选择。

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　　 "UPV1H101MGD",
　　 "UPV1F101MGD",
　　 "DMG2301U",
　　 "AO8803",
　　 "FDC6322P"
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