时间：2025/3/24 9:06:52
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AUIRF7675M2TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen IV 技术制造。该器件主要针对汽车应用设计，具有高可靠性、低导通电阻和快速开关特性，适用于高频 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
其封装形式为 PowerPAK 1212-8，这种封装不仅能够提供良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：49A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg）：36nC
输入电容（Ciss）：3140pF
输出电容（Coss）：385pF
反向恢复时间（trr）：70ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
AUIRF7675M2TR 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高效率。
同时，该器件具有较高的雪崩击穿能量和热稳定性，使其能够在恶劣环境下可靠运行。
此外，TrenchFET Gen IV 技术的应用使得该 MOSFET 在高频开关条件下表现出色，从而减少了开关损耗。
为了满足汽车电子标准，该产品符合 AEC-Q101 规范，并且无铅、符合 RoHS 标准。
1. 电池管理系统中的负载切换和保护电路。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电动车窗、座椅调节等电机驱动控制。
4. 高效 LED 照明驱动器。
5. 各类车载电源适配器和逆变器。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 特别适合对效率和安全性要求较高的场合。
IRF7675,
STP140N06,
FDP5800
