时间：2025/9/14 14:31:34
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PMPB29XPE,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率的开关性能，适用于各种中高功率应用。该器件采用小型化的 SOT404（LFPAK）封装形式，具备良好的热管理和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：30V
栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：60A
漏极电流 ID 脉冲：240A
导通电阻 RDS(on)：最大 4.3 mΩ（在 VGS = 10V 时）
栅极电荷 Qg：典型值 55nC
功率耗散：114W（Tc）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PMPB29XPE,115 具备多项优良的电气和物理特性。其采用 Nexperia 的 LFPAK 封装技术，提供了优异的热传导性能和机械强度，使得器件能够在高电流和高温环境下稳定运行。该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，其高电流承载能力和脉冲电流耐受性使其适用于高负载开关应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和电源管理模块。
该器件的栅极驱动要求较低，可在 10V 栅极电压下实现完全导通，兼容常见的驱动电路。同时，其具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，增强了系统的稳定性和可靠性。LFPAK 封装还具备优异的焊接质量和可检测性，便于自动化生产和维护。
PMPB29XPE,115 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子等领域。由于其高效率和紧凑型设计，特别适合空间受限且需要高性能的电源应用，如笔记本电脑适配器、服务器电源、电动工具和电动车控制系统。
PMPB27XPE,115; PMPB23XPE,115; IPD90N30C3; FDS6680
