型号：UPTW6180MPD
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：120A @ 25°C, 75A @ 100°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：360A
　　最大功耗(PD)：240W @ 25°C
　　导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ @ VGS=10V, 4.0mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：9500pF @ VDS=30V
　　输出电容(Coss)：650pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PDFN5x6(5mmx6mm)
　　安装方式：表面贴装(SMT)

UPTW6180MPD采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻和出色的开关特性，能够在高频开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。其RDS(on)典型值仅为3.2mΩ（当VGS=10V时），这意味着在大电流条件下仍能保持较低的温升，从而提高系统的能量转换效率并减少对散热结构的依赖。这种低阻抗特性使其特别适用于大功率密度设计，例如服务器电源、电动工具、电动汽车充电模块等对能效要求较高的场景。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为75nC（在VGS=10V下测量），有助于减少驱动电路的功耗，同时加快开关速度，进一步提升系统的工作频率上限。此外，其输入电容Ciss为9500pF，输出电容Coss为650pF，在保证良好开关响应的同时也避免了过大的瞬态电流冲击，提升了系统稳定性。体二极管具有较短的反向恢复时间（trr≈25ns），有效降低了在同步整流或桥式电路中的反向恢复损耗，防止因反向电流引起的电磁干扰和功率器件应力增加问题。
　　UPTW6180MPD采用PDFN5x6无引脚封装，底部带有裸露焊盘，可直接连接到PCB的散热区域，极大增强了热传导效率。相较于传统TO-220或DPAK封装，该封装体积更小，更适合现代高集成度电子产品的需求。同时，其符合JEDEC标准的封装尺寸便于自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。器件还具备良好的抗雪崩能力和ESD防护性能，能够在异常工况如负载突变、短路或静电放电情况下维持一定耐受能力，延长使用寿命。
　　值得一提的是，UPTW6180MPD在不同温度下的参数漂移较小，表现出优异的热稳定性。例如，其RDS(on)随温度上升的增长率符合正温度系数规律，有利于多管并联工作时的电流均衡分配，避免出现局部过热现象。此外，阈值电压Vth具有负温度系数特性，可在高温下自动抑制误导通风险，增强系统安全性。综合来看，这款MOSFET在性能、可靠性和封装设计方面达到了较高平衡，是中高端功率开关应用的理想选择之一。

UPTW6180MPD广泛应用于各类需要高效、高电流开关能力的电子系统中。常见用途包括但不限于：大功率DC-DC降压/升压转换器，特别是在服务器电源、通信电源模块中作为主开关管或同步整流管；电池供电设备中的电机驱动电路，如电动工具、无人机、机器人等，利用其低导通电阻来延长续航时间并减少发热；新能源领域的充电桩、储能逆变器中的功率切换单元；工业自动化控制系统中的固态继电器、H桥驱动电路；以及笔记本电脑、游戏主机等消费类电子产品中的多相VRM（电压调节模块）设计。
　　由于其支持高达120A的连续漏极电流（在25°C环境温度下），UPTW6180MPD也可用于大电流负载开关应用，例如热插拔控制器、电源分配单元（PDU）中的电子保险丝替代方案。在这些应用中，它不仅能快速响应负载变化，还能通过外部驱动电路实现精确的软启动和过流保护功能。此外，得益于其优异的开关速度和低寄生参数，该器件同样适用于高频PWM调光、LED驱动电源、无线充电发射端等对动态响应要求较高的场合。
　　在汽车电子领域，虽然UPTW6180MPD并非AEC-Q101认证器件，但仍可用于部分非关键车载系统，如车载冰箱、空气净化器、辅助电源模块等。只要工作条件控制在数据手册规定的范围内，并做好充分的热管理和EMI滤波设计，即可发挥其高性能优势。总体而言，该MOSFET凭借其高电流承载能力、低损耗特性和紧凑封装，已成为众多工程师在进行中等电压（60V以内）高功率密度设计时的重要选型参考。

UPSK6180MD
　　APM6180N
　　SM6180N
　　AOZ6180ANQI