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SI4396DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/20 14:22:00 查看 阅读:4

SI4396DY-T1-E3 是 Silicon Labs 公司推出的一款高性能、低功耗的无线收发器芯片,专为 Sub-GHz 频段设计。该芯片支持多种调制模式,包括 FSK、GFSK 和 OOK,适用于各种无线通信应用场景。其高度集成的设计减少了外部元件的需求,简化了系统设计,同时提高了可靠性。

参数

工作频率范围:150MHz 至 928MHz
  输出功率:-18dBm 至 +13dBm(可编程)
  接收灵敏度:-120dBm(典型值,FSK调制)
  电源电压:1.8V 至 3.6V
  待机电流:约 15nA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN32 (5mm x 5mm)

特性

SI4396DY-T1-E3 提供卓越的射频性能和低功耗表现,特别适合电池供电的设备。它具有强大的抗干扰能力,能够在嘈杂的射频环境中保持稳定通信。
  芯片内部集成了一个高效的功率放大器和低噪声放大器,从而优化了发射和接收性能。此外,该芯片还支持灵活的调制格式和数据速率配置,以满足不同应用的需求。
  为了简化开发过程,Silicon Labs 还提供了相应的开发套件和软件工具,帮助工程师快速实现无线功能。

应用

该芯片广泛应用于物联网 (IoT) 设备、家庭自动化、工业控制、无线传感器网络、智能仪表、安防系统等领域。由于其支持的频率范围广,能够适应全球多个地区的无线电法规要求,因此具有很强的通用性。

替代型号

SI4397DY-T1-E3, SI4398DY-T1-E3, SI4399DY-T1-E3

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SI4396DY-T1-E3参数

  • 数据列表SI4396DY
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1675pF @ 15V
  • 功率 - 最大5.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4396DY-T1-E3TR