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FQP20N06 发布时间 时间:2025/5/12 13:02:48 查看 阅读:18

FQP20N06是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率开关的应用场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电路效率并降低功耗。
  FQP20N06的工作电压为60V,适用于中低压应用环境。其封装形式通常为TO-220或DPAK,便于散热管理,适合工业和消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:20A
  导通电阻(Rds(on)):50mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:13nC(典型值)
  开关时间:t_on=47ns,t_off=28ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220,DPAK

特性

1. 低导通电阻:
  Rds(on)仅为50mΩ,可以显著减少导通损耗,从而提高整体效率。
  2. 快速开关性能:
  具备较低的栅极电荷和开关时间,使其非常适合高频开关应用。
  3. 高电流能力:
  支持高达20A的连续漏极电流,确保在高负载条件下稳定运行。  采用标准TO-220或DPAK封装,有助于更有效地散发热量,保证长期可靠性。
  5. 宽温度范围:
  能够在-55℃至+150℃的工作结温范围内正常工作,适应各种恶劣环境。

应用

1. 开关电源(SMPS):
  用于初级开关或同步整流,提供高效功率转换。
  2. DC-DC转换器:
  作为主开关或同步整流管,优化电压调节效率。
  3. 电机驱动:
  适用于小型直流电机或步进电机控制,提供精确的速度和方向调节。
  4. 电池保护:
  用作负载开关,防止过流或短路损坏。
  5. 逆变器:
  实现高效的AC-DC或DC-AC转换,应用于光伏系统或不间断电源(UPS)中。

替代型号

IRF540N
  STP20NF06
  BUZ11
  FDP20N06

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FQP20N06参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds590pF @ 25V
  • 功率 - 最大53W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件