时间：2025/10/7 21:29:55
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UPM1V820MED是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，采用小型化封装技术，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局设计。该器件主要面向需要低导通电阻和低静态电流的电源管理应用，尤其适合电池供电系统中的负载开关、电源通断控制以及反向电流阻断功能。UPM1V820MED的额定电压为-20V，最大连续漏极电流可达-1.5A，具备良好的热稳定性和开关性能。其集成的背对背MOSFET结构设计使其在单芯片内实现了双通道P沟道MOSFET配置，可用于防止电池反接或实现双方向电流阻断，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对空间和功耗敏感的产品中。此外，该器件还内置了栅极保护二极管和静电放电（ESD）保护结构，增强了在实际使用环境下的可靠性和抗干扰能力。得益于ROHM先进的工艺制程，UPM1V820MED在保持高性能的同时实现了极低的功耗表现，是现代低电压、低功耗系统中理想的电源控制解决方案之一。
型号：UPM1V820MED
制造商：ROHM
器件类型：P沟道MOSFET（双通道）
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大连续漏极电流（ID）：-1.5A（连续）
最大脉冲漏极电流（IDM）：-3.0A
导通电阻RDS(on)：440mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -1A）
导通电阻RDS(on)：500mΩ（@ VGS = -2.5V, ID = -1A）
阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
输入电容（Ciss）：约320pF（@ VDS=10V）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：HSON-6（热增强型小外形无引脚封装）
安装方式：表面贴装（SMT）
UPM1V820MED采用了ROHM专有的高精度沟槽式MOSFET制造工艺，确保了在低电压条件下仍能实现优异的导通性能和稳定性。其核心优势之一在于集成了两个P沟道MOSFET于单一芯片内，并采用背对背连接结构，这种设计特别适用于电池管理系统中的防反接保护和双方向电流阻断需求。当其中一个MOSFET用于电源开关控制时，另一个可配合实现软启动或防止瞬态反向电流流动，从而提升系统的安全性和可靠性。该器件的栅极驱动电压兼容3.3V和1.8V逻辑电平，在现代低压控制系统中无需额外电平转换电路即可直接驱动，简化了外围设计并降低了整体成本。此外，UPM1V820MED具有极低的静态电流消耗，在关断状态下漏电流极小，有助于延长电池寿命，非常适合长期待机的移动设备。
该器件还具备出色的热性能，得益于HSON-6封装底部集成的散热焊盘，能够有效将工作时产生的热量传导至PCB地层，从而提高功率处理能力和长期运行稳定性。内部集成的ESD保护二极管可承受高达±2kV的人体模型（HBM）静电冲击，增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。同时，器件的参数一致性高，批次间差异小，有利于大规模自动化生产和质量控制。UPM1V820MED在开关速度方面也进行了优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和开关延迟时间，能够在频繁启停的应用场景下减少动态损耗，提升能效。综合来看，这款MOSFET不仅满足了小型化、低功耗的设计趋势，还在电气性能、热管理和可靠性方面达到了较高平衡，是高端消费类电子产品中理想的电源开关选择。
UPM1V820MED广泛应用于各类便携式电子设备中，特别是在需要高效电源管理与紧凑布局的场合表现出色。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池电源开关、USB接口电源控制、外设模块供电管理以及主副电源切换电路。由于其双P沟道背对背结构设计，常被用于防止电池反向接入导致的损坏，常见于锂电池供电系统中作为防反接保护器件。此外，在可穿戴设备如智能手表、无线耳机等对体积和功耗极为敏感的产品中，该器件凭借其超小型HSON-6封装和低静态电流特性，成为实现长时间待机的理想选择。
在物联网（IoT）节点设备中，UPM1V820MED可用于传感器模块或无线通信单元的电源域控制，通过主控MCU信号精确开启或关闭特定功能模块，实现精细化的功耗管理。在工业手持设备、便携式医疗仪器等领域，该器件也被用作负载开关以隔离故障电路或执行上电时序控制。同时，因其良好的温度适应性和长期稳定性，也可应用于汽车电子中的低功耗辅助系统，例如车载信息娱乐系统的待机电源管理。总而言之，凡是需要低电压驱动、小尺寸封装、低导通损耗及高可靠性的P沟道MOSFET应用，UPM1V820MED都能提供有效的解决方案。
UPM1V821MED
UPM1V830MED
RBR2L030N
