FQP85N06是一款N沟道功率MOSFET,适用于高频开关应用和功率转换电路。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
这款MOSFET的额定电压为60V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备出色的电流处理能力,使其成为高效功率管理的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:23A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:29nC
开关时间:ton=18ns,toff=16ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻,降低功率损耗,提升效率。
2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 较小的栅极电荷,简化驱动设计。
5. 工作温度范围广,适应各种环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
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