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FQP85N06 发布时间 时间:2025/6/3 9:08:37 查看 阅读:4

FQP85N06是一款N沟道功率MOSFET,适用于高频开关应用和功率转换电路。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  这款MOSFET的额定电压为60V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备出色的电流处理能力,使其成为高效功率管理的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:23A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关时间:ton=18ns,toff=16ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 超低导通电阻,降低功率损耗,提升效率。
  2. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 较小的栅极电荷,简化驱动设计。
  5. 工作温度范围广,适应各种环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池保护电路
  5. 照明系统中的电子镇流器
  6. 汽车电子设备中的负载开关
  7. 工业自动化中的功率控制模块

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FQP85N06参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 42.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs112nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4120pF @ 25V
  • 功率 - 最大160W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件