时间：2025/6/3 9:08:37
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FQP85N06是一款N沟道功率MOSFET，适用于高频开关应用和功率转换电路。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
这款MOSFET的额定电压为60V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备出色的电流处理能力，使其成为高效功率管理的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷：29nC
开关时间：ton=18ns，toff=16ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻，降低功率损耗，提升效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 较小的栅极电荷，简化驱动设计。
5. 工作温度范围广，适应各种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
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