型号：UPJ1K101MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：PowerPAK SO-8L
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-7.7A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-19A
　　导通电阻(RDS(on))：14mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：600pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到外壳(RθJC)：2.3°C/W
　　热阻结到环境(RθJA)：45°C/W

UPJ1K101MPD采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种先进的制造工艺显著提升了器件的单位面积导电能力，使得在相同封装尺寸下能够实现更低的导通电阻和更高的电流承载能力。Trench结构通过垂直沟道设计取代传统的平面结构，有效增加了载流子通道密度，从而大幅降低RDS(on)，这对于提高电源效率至关重要。尤其是在电池供电设备中，如便携式医疗仪器、智能穿戴设备和移动终端，微小的导通损耗降低都能带来明显的续航时间提升。
　　该器件在低栅极驱动电压下的优异表现是其另一大亮点。现代电子系统越来越多地采用低电压逻辑信号进行控制，例如1.8V、2.5V或3.3V逻辑电平。UPJ1K101MPD能在-1.8V的栅源电压下实现仅22mΩ的导通电阻，这意味着它可以直接由这些低电压控制器驱动而无需额外的电平转换或升压电路，极大简化了系统设计复杂度。相比需要外部电荷泵的传统P沟道MOSFET，这不仅节省了成本和空间，还提高了系统的可靠性和稳定性。
　　此外，UPJ1K101MPD具备出色的热性能。其PowerPAK SO-8L封装去除了传统的引线框架，采用铜夹连接技术，显著降低了封装本身的电阻和热阻。实测热阻RθJC仅为2.3°C/W，表明热量可以从芯片结高效传导至PCB，配合良好的布局布线设计可实现优异的散热效果。这一特性使其在高功率密度应用中表现出色，即使在持续大电流工作条件下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　安全性方面，该器件集成了快速体二极管响应能力，反向恢复时间trr仅为16ns，在感性负载切换过程中能有效抑制电压尖峰和电磁干扰。同时，宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端高低温环境下稳定运行，满足工业级甚至部分汽车级应用需求。综合来看，UPJ1K101MPD凭借其低RDS(on)、低驱动电压兼容性、优良热性能及高可靠性，成为现代高效电源开关应用的理想选择。

UPJ1K101MPD广泛应用于多种电源管理场景，尤其适合作为高端负载开关用于电池供电系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该器件可用于主电源路径的通断控制，实现系统休眠时的零功耗待机或模块化供电管理，从而延长电池续航时间。其低导通电阻和快速响应特性确保了在频繁开关操作下的能量损耗最小化。
　　在汽车电子领域，得益于其AEC-Q101车规认证，UPJ1K101MPD可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、电动门窗控制单元以及传感器供电管理等子系统中。它可以作为电源多路复用器的一部分，用于在不同电源源之间切换，或者用于防止电池反接造成的设备损坏，提供可靠的极性反接保护功能。
　　工业控制系统中，该MOSFET常被用作直流电机驱动电路中的高端开关，或在PLC（可编程逻辑控制器）模块中实现I/O通道的独立供电控制。其稳定的电气性能和宽温工作范围使其能够在恶劣的工厂环境中长期可靠运行。
　　此外，UPJ1K101MPD也适用于各类DC-DC转换器中的同步整流拓扑，特别是在非隔离式降压变换器中作为上桥臂开关使用。虽然N沟道MOSFET在此类应用中更为常见，但在某些特定设计中，P沟道方案因无需自举电路而更具优势，尤其在输入电压较低或空间受限的设计中。综上所述，该器件适用于所有需要高效、紧凑且可靠的P沟道功率开关的应用场合。

Si7155DP-T1-GE3
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　　FDMC8878