LMBTA55LT1G 时间：2025/8/14 1:45:45 阅读：11

LMBTA55LT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该晶体管广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要较高频率响应和中等功率放大的场景中表现出色。LMBTA55LT1G 采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度电路设计。其性能稳定，可靠性高，是工业控制、通信设备和消费类电子产品中的常用器件。

参数

类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）

特性

LMBTA55LT1结构紧凑，采用SOT-23封装，适合在空间受限的电路设计中使用。其NPN结构使其在放大电路中表现出良好的线性特性，适用于信号放大和开关电路。该晶体管具有较高的频率响应，能够在100MHz范围内稳定工作，适合高频放大器应用。
　　LMBTA55LT1G 具有较宽的工作温度范围（-55°C ~ +150°C），适用于严苛的工业环境。其电流增益（hFE）范围较宽（110-800），可根据具体应用选择不同档位，提高了设计灵活性。此外，该器件具有较低的饱和压降，有助于提高能效并减少热量产生。
　　该晶体管的高可靠性使其在长时间运行的系统中表现优异，适合用于电源管理、电机控制和传感器接口等应用场景。

应用

LMBTA55LT1G 主要应用于需要中等功率放大的电路中，例如音频放大器、射频（RF）放大器和数字开关电路。由于其高频特性，该晶体管常用于通信设备中的信号放大模块。此外，LMBTA55LT1G 也广泛用于工业控制系统的继电器驱动、LED驱动和传感器信号调理电路中。
　　在消费类电子产品中，该晶体管可用于电源管理、电池充电控制和信号处理模块。由于其封装小巧，适合在智能手机、平板电脑和可穿戴设备等空间受限的应用中使用。