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SMMBD914LT1G 发布时间 时间:2025/5/19 19:04:17 查看 阅读:7

SMMBD914LT1G是一款超小型表面贴装肖特基二极管,采用DFN1238-2封装形式。它具有低正向压降和快速恢复时间的特点,非常适合用于高效能的开关电源、便携式设备及电池供电应用中。此器件由安森美(onsemi)生产,以其卓越的电气性能和可靠性著称。

参数

最大正向电流:3A
  最大反向电压:40V
  典型正向电压:0.35V@3A
  反向漏电流:10uA@25°C
  工作结温范围:-55℃ to 150℃
  热阻(结到环境):117°C/W

特性

SMMBD914LT1G采用了先进的制造工艺,实现了极低的正向压降,从而减少功率损耗并提高整体效率。其快速恢复特性使其在高频电路中表现优异。
  此外,该器件具备出色的浪涌能力,能够在瞬态条件下提供可靠保护。由于其紧凑的尺寸和轻量化设计,特别适合于空间受限的应用场景。同时,它的高工作温度范围也确保了在极端环境下的稳定性。

应用

该型号广泛应用于各种电子设备中,例如移动电话充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动器等需要高效整流的场合。
  此外,在DC/DC转换器、太阳能微逆变器以及汽车电子系统中也有广泛应用。由于其低功耗特点,也非常适合便携式电池供电产品如可穿戴设备、手持扫描仪等。

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SMMBD914LT1G产品

SMMBD914LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 10mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F4pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)