时间：2025/10/7 1:10:41
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UPJ1J121MPD是一款由Vishay Siliconix生产的P沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于多种电源管理应用。其封装形式为PowerPAK SO-8L，有助于在紧凑空间内实现高效散热，同时减小整体电路板尺寸。该MOSFET专为高性能DC-DC转换器、负载开关、电池管理以及便携式设备中的电源控制而设计，具备良好的可靠性和长期稳定性。
UPJ1J121MPD的工作电压范围适合中等功率应用，其栅极阈值电压设计允许与逻辑电平信号直接接口，从而简化了驱动电路的设计。该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。由于其优异的电气性能和小型化封装，UPJ1J121MPD广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
型号：UPJ1J121MPD
类型：P沟道MOSFET
封装：PowerPAK SO-8L
连续漏极电流（ID）：-6.9 A
漏源击穿电压（BVDSS）：-30 V
导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ @ VGS = -10 V
导通电阻（RDS(on)）：55 mΩ @ VGS = -4.5 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -2.0 V
输入电容（Ciss）：605 pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
最大功耗（PD）：2.5 W
极性：P沟道
UPJ1J121MPD采用Vishay成熟的TrenchFET工艺技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。其典型的RDS(on)值在-10V栅极电压下仅为45mΩ，在-4.5V条件下也仅为55mΩ，这一特性使其非常适合用于高效率同步整流和低电压大电流电源转换场景。此外，低RDS(on)意味着在相同负载条件下产生的热量更少，有助于提升系统的热稳定性和可靠性。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为10nC，这使得它能够快速开启和关闭，减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源应用。其输入电容（Ciss）为605pF，保证了良好的高频响应能力，同时不会对驱动电路造成过重负担。得益于优化的晶圆设计和封装结构，UPJ1J121MPD在保持高性能的同时实现了小型化，PowerPAK SO-8L封装无引线设计不仅节省PCB空间，还通过缩短内部连接路径进一步降低寄生电感和电阻。
UPJ1J121MPD具备出色的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了其在复杂电磁环境下的鲁棒性。其工作结温可达+150°C，支持严苛工业环境下的长期运行。器件还内置了体二极管，可在某些拓扑结构中作为续流路径使用，但需注意其反向恢复特性。总体而言，该MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间取得了良好平衡，是现代高密度电源设计的理想选择之一。
UPJ1J121MPD广泛应用于需要高效能P沟道MOSFET的各种电源管理系统中。常见用途包括同步降压变换器中的上管或下管配置，尤其适用于输入电压在30V以内的低压直流电源转换系统。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件常被用作电池供电路径的开关控制元件，实现电源通断管理和多电源切换功能。
在负载开关电路中，UPJ1J121MPD可有效隔离不同功能模块的供电，防止待机时的漏电流，延长电池续航时间。其快速响应特性和低静态功耗使其成为理想的热插拔控制器或电源排序电路组件。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路中的H桥结构，控制小型直流电机的正反转及制动操作。
在工业自动化设备中，UPJ1J121MPD可用于PLC模块、传感器供电单元和继电器驱动电路中，提供稳定的电源控制能力。其坚固的结构和宽温域适应性也使其适用于部分汽车电子应用，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源系统。此外，在电信基础设施设备如路由器、交换机和基站电源单元中，该器件可用于中间总线转换器或点负载调节电路，确保关键组件获得稳定可靠的电力供应。
Si7611DP-T1-GE3,Si4437BDY-T1-GE3,DMG2305U
