晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流：30A
　　最大集电极-发射极电压：100V
　　最大发射极-基极电压：5V
　　最大集电极功耗：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积：50MHz
　　电流增益（hFE）：在2A时为40-200

G914T11U 是一款高功率 NPN 晶体管，专为需要高电流和高频率性能的应用设计。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，使得该晶体管能够在高功率条件下稳定运行。晶体管的最大集电极电流可达 30A，集电极-发射极电压最大为 100V，使其适用于多种高功率电路设计。此外，该晶体管具有较高的增益带宽积（50MHz），能够支持高频应用，如射频功率放大器、开关电源和逆变器等。
　　该晶体管的电流增益（hFE）在集电极电流为 2A 时，范围在 40 到 200 之间，这使得它在不同工作条件下具有良好的放大性能。同时，G914T11U 的最大集电极功耗为 200W，能够在较高的功率水平下稳定运行，适用于需要高可靠性和稳定性的工业和电力电子设备。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在各种环境条件下使用。此外，其良好的热稳定性和坚固的封装结构，使其在恶劣环境下也能保持较高的性能和可靠性。

G914T11U 主要应用于高功率电子设备，包括开关电源、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器和射频功率放大器等领域。其高频和高功率特性使其在工业控制、电力电子和通信设备中具有广泛的应用前景。

G914T11U 的替代型号包括 IXYS 的 G914T11UO 和 G914T11UH，以及类似的 NPN 功率晶体管，如 STMicroelectronics 的 ST1044 和 ON Semiconductor 的 MJL4302A。这些晶体管具有相似的电气特性和封装形式，可以作为替代选择。