BL8028CB5TR 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。该器件采用 SO-8 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总栅极电荷(Qg):19nC
输入电容(Ciss):1740pF
工作温度范围(Ta):-55°C to 150°C
封装形式:SO-8
BL8028CB5TR 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著减少导通损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 较高的漏源电压耐受能力 (60V),能够在宽电压范围内稳定运行。
4. 支持大电流操作 (高达 30A),适用于高功率应用场景。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 提供卓越的热稳定性,确保在高温条件下长期使用。
BL8028CB5TR 常用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子中的电源管理单元。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
BSC028N06NS3G
IRFZ44N
FDP5570
STP30NF06L