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BL8028CB5TR 发布时间 时间:2025/7/1 11:57:43 查看 阅读:7

BL8028CB5TR 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。该器件采用 SO-8 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):19nC
  输入电容(Ciss):1740pF
  工作温度范围(Ta):-55°C to 150°C
  封装形式:SO-8

特性

BL8028CB5TR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著减少导通损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 较高的漏源电压耐受能力 (60V),能够在宽电压范围内稳定运行。
  4. 支持大电流操作 (高达 30A),适用于高功率应用场景。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 提供卓越的热稳定性,确保在高温条件下长期使用。

应用

BL8028CB5TR 常用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电池管理系统中的负载开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 汽车电子中的电源管理单元。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

BSC028N06NS3G
  IRFZ44N
  FDP5570
  STP30NF06L

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