型号：M5M44260CJ-6
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：DRAM
　　存储容量：4 Mbit
　　组织结构：1024k × 4
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：60 ns
　　封装类型：40-pin SOJ
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　数据总线宽度：4位
　　/RAS到/CAS延迟（tRCD）：典型值25ns
　　行预充电时间（tRP）：典型值60ns
　　刷新周期：典型值8ms（需定期刷新所有行）
　　最大功耗：约500mW（典型工作条件下）

M5M44260CJ-6具备典型的FPM DRAM操作特性，支持快速页面模式访问，允许在同一行（页面）内连续读取多个列地址的数据而无需重复激活行地址，从而显著提高突发数据访问效率。这种机制在早期PC的内存读写操作中尤为重要，特别是在图形显示缓存和数组数据处理等场景下表现优异。该芯片内部集成了自定时刷新电路，配合外部控制器实现行地址递增式刷新，确保每个存储单元在规定时间内完成刷新操作，维持数据完整性。其异步控制接口设计简化了与多种处理器的连接，仅需/RAS、/CAS、/WE（写使能）、/OE（输出使能）等基本控制信号即可完成全部读写功能。此外，M5M44260CJ-6采用了CMOS工艺制造，兼顾了速度与功耗之间的平衡，在保证60ns访问速度的同时将静态和动态功耗控制在合理范围内，适用于对散热条件有限制的嵌入式系统。器件还具备抗闩锁设计，增强了在电源波动或静电放电情况下的可靠性。虽然不具备现代内存的同步时钟接口和预取架构，但其简单的时序模型使得调试和故障排查更加直观，对于教学研究和老设备维修具有重要参考价值。
　　在电气特性方面，M5M44260CJ-6兼容TTL电平输入，可以直接与5V逻辑系统对接，无需额外的电平转换电路。其输出驱动能力经过优化，能够在较长的PCB走线上保持信号完整性。该芯片支持全静态操作，即只要供电正常且按时刷新，数据便可长期保持。为了适应不同系统设计需求，M5M44260CJ-6提供了标准的地址多路复用接口，地址信号分为行地址和列地址分时输入，通过/RAS和/CAS信号分别锁存，有效减少了引脚数量，提高了封装密度。此外，器件支持部分写入功能，允许只更新4位数据中的某几位，提升了写操作灵活性。整体而言，M5M44260CJ-6代表了第二代DRAM技术的成熟方案，在性能、成本和可靠性之间取得了良好平衡，是那个时代内存设计的经典范例之一。

M5M44260CJ-6主要用于需要4位宽度异步DRAM的电子系统中，常见于20世纪90年代初期至中期的个人计算机主板、工控机、打印机控制器、网络交换机缓冲存储器、图像采集卡以及各类嵌入式控制器。由于其4位数据宽度的特性，通常需要多片并联使用，例如四片组成16位总线，八片组成32位总线，以匹配当时主流的Intel 80486、Pentium早期型号或其他RISC处理器的内存接口要求。在一些专业音频设备和视频编辑系统中，该芯片也被用于临时帧缓冲或数据暂存区。此外，在电信设备如程控交换机和基站控制模块中，M5M44260CJ-6因其稳定性和长期供货记录而被广泛采用。至今，在工业自动化领域的旧设备维护和备件替换中，该型号仍有一定的市场需求。教育机构和电子爱好者也常将其用于计算机体系结构实验平台，帮助学生理解DRAM寻址机制、刷新原理和内存控制器设计。由于其非易失性虽弱（断电即丢失数据），但上电后可快速初始化投入使用，因此适合用作系统运行时的主存或高速缓存扩展。随着表面贴装技术的普及，M5M44260CJ-6的SOJ封装形式便于自动化贴片生产，进一步推动了其在批量电子产品中的应用。虽然目前已停产，但在二手市场和库存渠道中仍可获取，成为修复经典设备的重要元器件之一。

IS42S44260CJ-6
　　M5M44260CJ-70
　　CY7C44260CJ-60