时间：2025/12/27 8:51:18
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UPG15N60是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及照明镇流器等高电压、中等电流的电力电子场合。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的导通电阻与栅极电荷平衡特性，在保证高效开关性能的同时降低了功耗。其额定电压为600V，最大连续漏极电流可达15A，适合在高温和高应力环境下稳定工作。UPG15N60通常封装于TO-220或TO-220F等通用功率封装形式中，便于散热设计与电路板安装。
这款MOSFET特别适用于需要频繁开关操作的应用场景，例如PWM控制下的电源管理模块。由于其具备较低的输入电容和反馈电容比值（Ciss/Crss），能够有效减少米勒效应带来的误触发风险，从而提升系统稳定性。此外，该器件内部未集成续流二极管，因此在感性负载应用中需外接快恢复二极管以防止反向电压损坏。UPG15N60符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，是工业级电源设计中的可靠选择之一。
型号：UPG15N60
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600 V
最大栅源电压（Vgs）：±30 V
最大连续漏极电流（Id）@25℃：15 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：60 A
最大功耗（Pd）：200 W
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.38 Ω（典型值）
阈值电压（Vgs(th)）：2 ~ 4 V
输入电容（Ciss）：1900 pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：150 pF @ Vds=25V
反向传输电容（Crss）：45 pF @ Vds=25V
开启延迟时间（td(on)）：25 ns
关断延迟时间（td(off)）：70 ns
工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 ℃
封装形式：TO-220 / TO-220F
UPG15N60具备出色的电气性能与热稳定性，能够在高电压条件下实现高效的功率切换。其核心优势在于优化的晶圆结构设计，使得在600V耐压等级下仍能保持相对较低的导通电阻（典型值仅为0.38Ω），这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能量转换效率。该器件具有良好的动态响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg约60nC）和适中的输入/输出电容，使其在高频开关应用中表现出色，可有效降低开关过程中的交越损耗。
该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过载承受能力，能在瞬态过压或短路情况下维持一定时间的安全运行，提升了电源系统的鲁棒性。其阈值电压范围设定合理（2~4V），既避免了因噪声干扰导致的误开启，又确保了在常见驱动信号（如10V逻辑）下能够充分饱和导通。此外，器件的热阻较低（约0.625℃/W），结合外部散热片使用时可有效将结温控制在安全范围内，延长使用寿命。
UPG15N60采用平面栅技术而非沟槽结构，虽然在绝对导通电阻上略高于高端沟槽MOSFET，但其在dv/dt抗扰性和可靠性方面更具优势，尤其适合对长期运行稳定性要求较高的工业设备。同时，该器件对PCB布局不敏感，易于在传统电源设计中替换使用，无需复杂的驱动补偿网络。其封装形式兼容性强，支持通孔安装，并具备良好的机械强度与绝缘性能（特别是TO-220F版本）。总体而言，UPG15N60是一款性价比高、适用范围广的中高压功率MOSFET，适用于多种中等功率电力变换场景。
UPG15N60常用于各类开关模式电源（SMPS）中，包括AC-DC适配器、服务器电源单元及工业用大功率开关电源。其600V耐压能力使其非常适合接入整流后的市电母线电压（约310V直流），可在反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥拓扑结构中作为主开关器件使用。此外，它也广泛应用于LED恒流驱动电源，特别是在高亮度照明系统中，通过高频PWM调光方式实现精确亮度控制。
在电机控制领域，UPG15N60可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上桥臂或下桥臂开关元件，提供快速响应和低损耗的功率切换功能。在逆变器系统中，例如太阳能微逆变器或UPS不间断电源，该器件可用于DC-AC转换阶段的初级侧开关，配合控制IC完成能量传递。
另外，该MOSFET也可用于电子镇流器、感应加热装置以及激光电源等特种电源设备中，承担高频高压切换任务。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，因此也被选用在环境条件较为严苛的工业控制系统中。总之，凡是在600V以下、需要10A级以上开关电流的应用场合，UPG15N60都是一种成熟且值得信赖的选择。
STP15NK60ZFP
FQP15N60C
IRFGB40
KSE15N60
