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HY62WT08081ED70I 发布时间 时间:2025/9/1 20:31:56 查看 阅读:7

HY62WT08081ED70I是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS工艺制造,提供高速数据访问和低功耗特性,适用于需要快速数据处理的电子设备。这款SRAM芯片采用512K x 8位的组织结构,提供8位数据总线宽度。

参数

容量:512K x 8位
  组织结构:512KB
  电压:3.3V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY62WT08081ED70I具备出色的性能和可靠性,适用于多种应用场景。其主要特性包括高速访问时间,使得数据读取和写入操作更为迅速,从而提升系统整体性能。该芯片的工作电压为3.3V,能够在低电压条件下保持稳定运行,有效降低功耗,适用于对能效有较高要求的应用。此外,该芯片采用TSOP封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件下的稳定运行。
  HY62WT08081ED70I的组织结构为512K x 8位,提供8位数据总线宽度,能够满足大多数嵌入式系统和工业控制设备的需求。该芯片还具备自动省电模式,在无操作状态下自动进入低功耗模式,从而延长设备的使用寿命并降低能耗。此外,其CMOS工艺确保了低漏电流和高抗干扰能力,使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、医疗设备和测试仪器等领域。例如,它可用于缓存数据、临时存储运行时信息或作为主控制器的辅助存储器。在工业自动化中,该芯片可用于存储实时控制数据,确保设备快速响应和高效运行。此外,它也可用于网络设备和路由器,以提升数据传输效率。

替代型号

CY62167EAPLL-70E、IS62WV5128AALLB70

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