时间：2025/10/7 1:58:51
阅读：8
UPB1C102MPD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的单极性硅锗碳化物（SiGe:C）射频（RF）低噪声放大器（LNA），专为高频无线通信应用设计。该器件采用先进的SiGe工艺制造，具备优异的高频性能和低功耗特性，适用于需要高增益、低噪声系数和良好线性度的射频前端电路。UPB1C102MPD工作在宽频率范围内，典型应用包括蜂窝通信系统、无线基础设施、物联网（IoT）设备以及其它高性能接收机前端。该芯片封装采用小型化的表面贴装Molded Package with Pad Down（MPD）封装，有助于减少PCB占位面积并提升高频信号完整性。其内部集成输入/输出匹配网络，简化了外部电路设计，降低了整体系统复杂性和开发周期。此外，该器件具有良好的稳定性设计，避免自激振荡问题，适合在多种环境条件下稳定运行。
工作电压：3.0 V 至 5.0 V
静态电流：约 8.5 mA
工作频率范围：1.5 GHz 至 3.0 GHz
小信号增益：典型值 18.5 dB @ 2.4 GHz
噪声系数：典型值 0.75 dB @ 2.4 GHz
输入反射系数（S11）：-12 dB @ 2.4 GHz
输出反射系数（S22）：-15 dB @ 2.4 GHz
OIP3（三阶交调截点）：+15 dBm @ 2.4 GHz
封装类型：MPD（Mini Small Package）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
UPB1C102MPD具备出色的低噪声性能，典型噪声系数仅为0.75dB，在1.5GHz至3.0GHz频段内表现出卓越的信号接收灵敏度，使其非常适合用于对弱信号检测要求较高的无线通信系统中。其高增益特性（典型值18.5dB）能够在不引入过多级联放大器的情况下实现足够的信号放大，从而降低系统噪声指数并提高整体信噪比。该器件采用SiGe:C技术，结合了硅工艺的成本优势与化合物半导体的高频性能，能够在高频下保持良好的增益平坦度和相位线性度。
该LNA具有优良的输入/输出驻波比匹配能力，S11和S22分别达到-12dB和-15dB，减少了对外部匹配元件的依赖，简化了射频布局设计，提升了量产一致性。其OIP3高达+15dBm，表明其具备较强的抗干扰能力，能够有效抑制带内强信号引起的非线性失真，适用于多载波或高动态范围的应用场景。器件支持3V至5V宽电源电压范围，适应不同系统供电需求，并可通过偏置电阻灵活调节工作电流以平衡性能与功耗。
UPB1C102MPD集成了内部偏置电路和ESD保护结构，增强了可靠性与耐用性。其小型化MPD封装不仅节省PCB空间，还优化了高频接地路径，有助于维持稳定的S参数表现。该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子产品。由于其高集成度和稳定性设计，即使在温度变化较大的环境中也能保持性能一致性，无需额外的温度补偿电路。
UPB1C102MPD广泛应用于各类高频无线接收系统中，特别是在需要高灵敏度和低噪声放大的场合。典型应用包括2.4GHz ISM频段无线模块，如Wi-Fi 6（802.11ax）、蓝牙5.x、ZigBee和Thread等短距离通信设备；同时也适用于蜂窝通信基站中的低噪声前端放大、微波链路接收机、卫星通信终端以及智能电表、工业传感器等物联网节点设备。
在移动通信基础设施中，该器件可用于Sub-3GHz频段的宏站或小型蜂窝（Small Cell）系统的接收通道设计，提供稳定的前置增益和低噪声性能。此外，因其良好的线性度和抗干扰能力，也适合部署在多频段共存的复杂电磁环境中，例如智能家居网关、无线音频传输设备和远程监控系统等。在测试测量仪器领域，UPB1C102MPD可作为信号采集前端的预放大器，提升仪器对微弱射频信号的捕捉能力。
得益于其紧凑封装和易于集成的特点，该芯片特别适合高密度PCB布局的设计需求，常用于便携式设备和嵌入式无线模块中。无论是消费电子还是工业级产品，UPB1C102MPD都能提供可靠的射频前端解决方案，满足现代无线通信系统对性能、尺寸和能效的综合要求。
UBA2111KOA-TR
UPB1021T1G
FAN73833_F085
