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IRF7453 发布时间 时间:2025/5/21 12:31:31 查看 阅读:8

IRF7453 是一款由 Vishay 提供的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够在高频率和大电流条件下提供出色的性能。
  其设计特点包括低导通电阻、快速开关速度以及卓越的热稳定性,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率电子系统中。

参数

型号:IRF7453
  类型:N沟道 MOSFET
  Vds(漏源电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):1.9mΩ(典型值,Vgs=10V)
  Id(连续漏极电流):128A
  Pd(总功耗):270W
  Vgs(栅源电压):±20V
  f(工作频率范围):高达 1MHz
  封装:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRF7453 的主要特点是其低导通电阻和快速开关能力。低 Rds(on) 值能够显著减少导通损耗,从而提高整体效率并降低散热需求。
  此外,该器件具备高电流处理能力(最高可达 128A),使其非常适合于需要大电流输出的应用场景。同时,由于采用 TO-247 封装,它具有良好的散热性能,有助于维持长时间稳定运行。
  在动态性能方面,IRF7453 提供了较短的开启和关闭延迟时间,这有助于在高频操作时减少开关损耗。
  另外,其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C)确保了在极端环境条件下的可靠性。

应用

IRF7453 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于以下方面:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动控制
  - 工业自动化设备中的功率管理
  - 高效逆变器
  - 照明系统中的 LED 驱动
  凭借其低导通电阻和高频性能,这款 MOSFET 特别适合需要高效能量转换和高可靠性的场合。

替代型号

IRF7454, IRF7455

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IRF7453参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 1.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7453