时间：2025/5/8 9:07:33
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UPA2757GR-E1 是一款高性能、高效率的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景，能够提供较低的导通电阻和快速的开关性能。UPA2757GR-E1采用TO-263封装形式，适合表面贴装工艺，具备优良的散热性能。
该MOSFET具有较高的耐压能力，同时支持高频工作模式，因此非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：12nC
输入电容：2290pF
典型阈值电压：2.2V
工作温度范围：-55℃ to +175℃
UPA2757GR-E1具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。
2. 高速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 优化的栅极电荷设计，使得驱动功耗更低。
4. 较高的电流承载能力，适用于大功率应用。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业要求。
7. TO-263封装提供了良好的热管理和电气连接性能。
UPA2757GR-E1广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关应用。
IRFZ44N, FDP5570, STP55NF06L
