时间：2025/5/19 16:20:00
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Q3236I-20N是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和可靠性的电子电路中。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，通常用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：20A
导通电阻：2.5mΩ
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
Q3236I-20N具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小尺寸封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
这款MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 汽车电子系统中的负载开关
5. 工业自动化控制中的电机驱动
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5800
