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IRF3205ZSPBF 发布时间 时间:2025/7/12 1:06:24 查看 阅读:27

IRF3205ZSPBF 是一款高性能的 N 沱道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-247-3 封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高功率应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效功率转换的理想选择。
  IRF3205ZSPBF 的设计注重高温性能和稳定性,能够承受较高的持续电流和脉冲电流。此外,它还具有较低的栅极电荷,从而减少开关损耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:110A
  导通电阻:4.9mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:2040pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247-3

特性

IRF3205ZSPBF 提供了出色的电气性能,包括低导通电阻和低栅极电荷,这使得其在高频开关应用中表现出色。它的大电流承载能力和高耐压能力确保了其能够在恶劣的电气环境下可靠运行。
  此外,该器件采用了先进的制造工艺以降低热阻,提升散热性能,进一步增强了其在高功率密度应用中的表现。
  IRF3205ZSPBF 的主要特点还包括:
  - 低导通电阻 (Rds(on)),减少传导损耗。
  - 快速开关速度,适用于高频应用。
  - 高峰值电流处理能力,适合脉冲负载。
  - 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  - 宽温度范围操作,适应各种环境条件。

应用

IRF3205ZSPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 工业自动化设备
  7. 脉冲宽度调制(PWM)控制器
  8. 电池管理系统(BMS)
  该器件因其高电流能力和低导通电阻而特别适合需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IRF3205PBF, IRF3205TRPBF

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IRF3205ZSPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 66A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3450pF @ 25V
  • 功率 - 最大170W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3205ZSPBF