时间：2025/10/6 20:24:36
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UPA1E821MPD是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能、低功耗的MOSFET器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用小型化封装，适用于空间受限的便携式电子产品设计。UPA1E821MPD属于P沟道MOSFET类型，具备优良的导通电阻特性与快速开关响应能力，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效功率控制。其设计目标是为现代高密度电路提供可靠的功率开关解决方案，同时降低整体系统功耗和热损耗。该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，因此不仅适用于工业和消费类电子，也适合在汽车电子环境中使用。得益于其优化的芯片结构和先进的制造工艺，UPA1E821MPD在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，增强了系统的长期运行可靠性。
型号：UPA1E821MPD
制造商：Renesas Electronics
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：-20V
最大栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-4.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -2.5V
阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8 Power Dissipation Package (DP8)
功率耗散(Pd)：1.5W @ TA=25°C
UPA1E821MPD具备多项优异的技术特性，使其在同类P沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。在VGS=-4.5V条件下，RDS(on)仅为45mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少发热，提升系统稳定性。其次，该器件支持较低的栅极驱动电压，在-2.5V的VGS下仍可实现良好的导通性能，适用于3.3V或更低电压逻辑控制的系统，兼容现代微控制器和电源管理IC的输出电平。
另一个关键特性是其出色的热性能。UPA1E821MPD采用DP8封装，具有增强的散热能力，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB，从而提高功率处理能力。这种封装设计特别适合高密度贴装环境，有助于缩小整体电路板尺寸。此外，器件内部结构经过优化，具备良好的抗雪崩能力和瞬态过压耐受性，增强了在异常工况下的鲁棒性。
UPA1E821MPD还具有较低的输入电容（Ciss=420pF），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，进一步降低了动态功耗。这对于高频开关应用尤为重要，如同步降压变换器中的上管或负载开关电路。同时，其阈值电压范围适中（-0.6V至-1.0V），确保了开关动作的稳定性和一致性，避免因阈值漂移导致误触发。
该器件通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、湿度测试、机械冲击等方面均满足汽车级可靠性要求，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和电池管理系统等严苛环境。综合来看，UPA1E821MPD凭借其低RDS(on)、良好热性能、宽温域工作能力及高可靠性，成为中低压P沟道MOSFET应用的理想选择。
UPA1E821MPD广泛应用于多种电源管理场景。常见用途包括DC-DC降压转换器中的高端开关，特别是在非同步整流拓扑中作为主控开关元件，利用其低导通电阻实现高效率能量转换。此外，它也常用于负载开关电路，控制电源路径的通断，适用于便携设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的外设供电管理。
在电池供电系统中，UPA1E821MPD可用于反向电流阻断和电池备份切换，防止电流倒灌损坏电源模块。其快速开关特性和低静态功耗使其非常适合待机模式下的电源隔离应用。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制系统中的灯光驱动、电机控制电源开关以及车载充电器的辅助电源部分。
工业控制设备中，UPA1E821MPD可作为继电器替代方案，实现固态开关功能，提高系统响应速度并减少电磁干扰。由于其具备良好的温度稳定性和可靠性，也可用于工业传感器、PLC模块和通信基站的电源管理单元。此外，在USB电源开关、SIM卡接口电源控制和LCD背光电源管理中也有广泛应用。
得益于其小型化封装和高集成度特点，UPA1E821MPD特别适合对空间敏感的设计，例如超薄笔记本电脑、移动支付终端和智能家电控制板。总体而言，该器件适用于所有需要高效、可靠且紧凑型P沟道MOSFET开关的中低功率应用场景。
UPA1H821MPD
Si3443CDV-T1-E3
NTR4101P
FDMC86280S
AO3401A
