CBR02C259B5GAC 是一款陶瓷电容器,属于 CBR 系列。该型号采用多层陶瓷技术制造,具有高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的特点。它通常用于高频滤波、去耦和信号耦合等应用中。其设计符合 RoHS 标准,适用于各种消费电子、通信设备及工业控制领域。
这款电容器的介质材料为 X7R,这种材料在温度变化范围内具有良好的容量稳定性,同时也能承受一定的直流偏置影响。
封装:0402
容量:2.59pF
额定电压:50V
耐压等级:DC 50V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
介质材料:X7R
容差:±5%
尺寸:0.4mm x 0.2mm
ESL(等效串联电感):<1nH
ESR(等效串联电阻):<0.01Ω
CBR02C259B5GAC 具有以下显著特点:
1. 高可靠性:由于采用了先进的多层陶瓷工艺,产品在长时间使用后仍能保持稳定的性能。
2. 小型化设计:0402 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
3. 温度稳定性:X7R 介质确保了其在宽温范围内的容量变化小于 ±15%。
4. 直流偏置特性:即使施加直流电压时,容量下降幅度也较小。
5. 高频性能:极低的 ESR 和 ESL 保证了其在高频条件下的高效运作。
该电容器适用于多种电子电路:
1. 滤波器设计:在电源或信号路径中用作高频噪声抑制元件。
2. 去耦电容:放置在 IC 电源引脚附近以减少电压波动。
3. 耦合与解耦:在模拟或数字信号传输过程中充当隔直通交功能。
4. 工业控制:在电机驱动器、逆变器等系统中提供稳定的电容支持。
5. 无线通信:应用于射频前端模块中的匹配网络和滤波电路。
CBR02C259B5GACD, CBR02C259B5GACE