时间：2025/5/6 20:51:40
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CSD19535KTT是来自德州仪器（TI）的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用QFN封装形式。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理等应用。其设计注重降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值，条件为Vgs=10V）
栅极电荷：76nC
输入电容：1440pF
工作结温范围：-55℃至175℃
CSD19535KTT具备非常低的导通电阻，能够显著减少功率损耗，特别适合高效率、高功率密度的应用场合。
此外，其优化的栅极电荷和开关性能有助于实现更快的开关速度，同时减少开关损耗。
该器件还具有坚固的结构设计，能够在极端温度范围内稳定运行，适用于汽车电子和工业领域对可靠性和耐久性要求较高的环境。
其QFN封装形式不仅减小了PCB空间占用，还提供了优良的热性能。
CSD19535KTT广泛用于各种高效功率转换和控制应用中，包括但不限于：
1. 降压和升压DC-DC转换器
2. 负载开关
3. 汽车电源管理系统
4. 工业电机驱动
5. 电池保护和管理电路
6. 通信电源
由于其出色的性能，这款MOSFET在需要大电流和高效率的应用中表现尤为突出。
CSD19536KTT, CSD19537KTT
