您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CSD19535KTT

CSD19535KTT 发布时间 时间:2025/5/6 20:51:40 查看 阅读:19

CSD19535KTT是来自德州仪器(TI)的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用QFN封装形式。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理等应用。其设计注重降低导通损耗和开关损耗,从而提升系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型值,条件为Vgs=10V)
  栅极电荷:76nC
  输入电容:1440pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

CSD19535KTT具备非常低的导通电阻,能够显著减少功率损耗,特别适合高效率、高功率密度的应用场合。
  此外,其优化的栅极电荷和开关性能有助于实现更快的开关速度,同时减少开关损耗。
  该器件还具有坚固的结构设计,能够在极端温度范围内稳定运行,适用于汽车电子和工业领域对可靠性和耐久性要求较高的环境。
  其QFN封装形式不仅减小了PCB空间占用,还提供了优良的热性能。

应用

CSD19535KTT广泛用于各种高效功率转换和控制应用中,包括但不限于:
  1. 降压和升压DC-DC转换器
  2. 负载开关
  3. 汽车电源管理系统
  4. 工业电机驱动
  5. 电池保护和管理电路
  6. 通信电源
  由于其出色的性能,这款MOSFET在需要大电流和高效率的应用中表现尤为突出。

替代型号

CSD19536KTT, CSD19537KTT

CSD19535KTT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CSD19535KTT资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CSD19535KTT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥25.92000剪切带(CT)500 : ¥16.23212卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.4 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)98 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7930 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DDPAK/TO-263-3
  • 封装/外壳TO-263-4,D2Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA