时间：2025/10/7 0:52:03
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UPA1E331MPD是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等电子电路中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为S-Mini或类似的小型化封装），适合对空间要求较高的便携式电子产品设计。UPA1E331MPD以其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性著称，能够在有限的PCB面积内实现高效的功率控制。该MOSFET专为低电压驱动应用优化，可直接由逻辑信号或微控制器IO口驱动，适用于电池供电设备中的电源切换与节能管理。
该器件的主要优势在于其在低栅极驱动电压下的优异性能表现，支持3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，UPA1E331MPD具备良好的抗雪崩能力和可靠性，在瞬态负载变化和反向电流保护方面表现出色。由于采用了先进的沟槽式场效应晶体管工艺，它在导通损耗和开关损耗之间实现了良好平衡，有助于提升系统的能效等级。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：30V
连续漏极电流(ID)：4.4A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：17.6A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(Rds(on))：33mΩ @ VGS=10V
导通电阻(Rds(on))：44mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(Rds(on))：50mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：470pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：180pF @ VDS=15V
反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
最大功耗(Pd)：1W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：S-Mini
UPA1E331MPD具备出色的低电压驱动能力，尤其在2.5V至4.5V的栅极驱动电压范围内仍能保持较低的导通电阻，这使其非常适合用于现代低功耗嵌入式系统和移动设备中。当VGS=2.5V时，其Rds(on)仅为50mΩ，这一特性显著优于许多传统MOSFET，能够有效减少在低压应用场景下的导通损耗，提高电源转换效率。这种优异的低VGS性能得益于罗姆公司特有的沟道结构设计和制造工艺优化，确保即使在电池电量下降导致供电电压降低的情况下，器件依然可以稳定工作。
该器件具有快速的开关响应特性，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和低输入/输出电容。例如，Ciss仅为470pF，在高频开关应用如同步整流型DC-DC变换器中，能够显著降低驱动损耗并提升系统效率。同时，Crss（反向传输电容）控制在40pF左右，有助于抑制米勒效应引起的误触发，增强电路在高dv/dt环境下的稳定性。这对于防止意外导通、提升系统可靠性至关重要。
热性能方面，UPA1E331MPD采用高导热性的封装材料和内部结构设计，使得在1W的最大功耗下仍能通过自然散热维持安全的工作温度。其高达+150°C的最大结温允许器件在高温环境中长期运行，满足工业级应用需求。此外，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于H桥或BUCK电路中的续流路径使用。
在可靠性方面，UPA1E331MPD经过严格的生产测试和质量控制流程，符合AEC-Q101车规级认证标准的部分要求，具备良好的抗静电（ESD）能力和耐久性。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了在实际布线中因噪声或瞬态过压导致损坏的风险抵抗能力。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间达到了优秀平衡，是中小功率开关应用的理想选择。
UPA1E331MPD常用于各类便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，主要用于电池供电路径的开关控制、负载隔离和上电时序管理。在这些应用中，它作为高端或低端开关元件，配合控制器实现精确的电源域开启与关闭，以达到节能待机或故障保护的目的。
在DC-DC转换器电路中，尤其是非同步或同步整流式降压（Buck）转换器中，UPA1E331MPD可用作同步整流开关，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提升整体转换效率。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由PWM控制器输出驱动，无需额外的驱动芯片，简化了外围电路设计。
此外，该器件也适用于电机驱动、LED驱动电源、USB电源开关、热插拔电路以及各种需要高效、紧凑型功率开关的消费类和工业类电子产品中。其小型封装特别适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品的体积。
SMMBT3904LT1G, FDN340P, AO3400, SI2302DS, BSS138
