RE1L002SN TL 时间：2025/11/8 2:58:10 阅读：5

RE1L002SN TL是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（通常为S-Mini或类似尺寸的封装），适用于高密度电源管理应用。该器件设计用于在低电压、大电流开关电源系统中提供高效能表现，广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制领域。RE1L002SN TL中的“TL”后缀通常表示编带包装，适合自动化贴片生产流程。这款MOSFET具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，能够有效降低传导损耗并提升整体系统效率。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如3.3V或5V驱动），便于与现代数字控制器直接接口。此外，该器件还具备一定的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态负载或异常工况下的可靠性。RE1L002SN TL遵循RoHS环保规范，不含铅和有害物质，符合当前绿色电子产品的制造要求。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，该MOSFET常被用作同步整流器、DC-DC转换器中的主开关元件，以及电机驱动电路中的功率级器件。

参数

型号：RE1L002SN TL
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.4 A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：33 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 4.5V：6.7 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 2.5V：9.5 mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值 0.6 V，范围 0.4 ~ 0.9 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 1120 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 360 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 10 ns
　　封装形式：S-Mini (DFN类似)
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（PD）：典型值 2.5 W（需考虑PCB散热条件）

特性

RE1L002SN TL具备多项关键特性，使其在低压大电流开关应用中表现出色。首先，其超低导通电阻是核心优势之一，在VGS=4.5V时RDS(on)最大仅为6.7mΩ，显著降低了在高电流条件下因导通损耗带来的发热问题，从而提高了电源系统的整体效率。即使在较低的栅极驱动电压下（如2.5V），其RDS(on)仍可保持在9.5mΩ以内，展现出优异的逻辑电平驱动兼容性，适用于由微控制器或同步整流控制器直接驱动的场景。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺技术，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时有效抑制了寄生参数的影响。这种结构设计不仅提高了开关速度，还减少了开关过程中的能量损耗，有利于实现高频化电源设计，减小外围滤波元件的体积和成本。
　　再者，RE1L002SN TL具有较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），这有助于减少驱动电路所需的充电能量，进一步降低驱动损耗，并加快开关响应时间。其反向恢复时间短（trr约10ns），配合体二极管的良好特性，可在同步整流拓扑中有效防止反向电流冲击，避免交叉导通风险，提升系统稳定性。
　　此外，该MOSFET采用S-Mini小型化封装，具有优良的热传导性能，通过PCB上的散热焊盘可将热量迅速传递至主板，支持较高的功率密度设计。封装本身无引脚，减少了寄生电感，有利于高频运行下的电磁兼容性表现。器件还内置了一定程度的静电放电（ESD）保护能力，并经过严格的可靠性测试，确保在复杂电磁环境和温度循环条件下长期稳定运行。

应用

RE1L002SN TL广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统中，它常用于电池供电路径切换、负载开关控制以及多路电源域的动态管理。由于其低RDS(on)和小封装尺寸，非常适合空间受限但对效率要求高的应用场景。
　　在DC-DC转换器方面，该器件特别适用于降压型（Buck）变换器的下管同步整流部分，能够在高频率下实现高效的能量回馈，替代传统的肖特基二极管以大幅降低导通压降和功耗。同时，也可作为升压（Boost）或SEPIC等拓扑中的主开关使用，尤其是在输入电压较低（如单节锂电池3.7V）的情况下，其低阈值电压和良好驱动特性能够保证充分导通。
　　在服务器和通信设备的板级电源模块中，RE1L002SN TL可用于POL（Point-of-Load）转换器，为CPU、GPU或ASIC等高性能芯片提供稳定的低压大电流供电。其快速响应能力和热稳定性有助于应对动态负载变化，维持输出电压精度。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路中的H桥低端开关、LED恒流驱动电源、USB PD快充协议中的功率通断控制，以及各类电池管理系统（BMS）中的充放电通路开关。凭借其高可靠性和成熟的供应链支持，RE1L002SN TL已成为许多工程师在中低功率段首选的N沟道MOSFET解决方案之一。