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GA0805A270FBBBT31G 发布时间 时间:2025/5/24 15:44:12 查看 阅读:14

GA0805A270FBBBT31G是一款基于硅技术制造的高性能功率MOSFET芯片,适用于高效率开关电源、电机驱动以及负载切换等应用领域。该器件采用先进的沟槽式结构设计,能够提供较低的导通电阻和更快的开关速度,从而提高整体系统效率并减少热损耗。
  此型号属于N沟道增强型MOSFET,具备出色的电气性能与可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1500pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA0805A270FBBBT31G具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻确保了在大电流条件下的高效运行,同时减少了功耗。
  2. 快速开关能力使其非常适合高频操作环境,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量耐受性增强了产品的鲁棒性和使用寿命。
  4. 紧凑的封装形式有利于节省PCB空间,并简化散热管理。
  5. 宽泛的工作温度区间支持其在恶劣环境下保持稳定表现。

应用

这款功率MOSFET可应用于多个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. DC-DC转换器以实现高效的电压调节。
  3. 电动工具、家用电器及汽车电子中的电机驱动控制。
  4. 各类保护电路如过流保护、短路保护等。
  5. 负载切换场景下作为理想的开关元件使用。

替代型号

GA0805A270FBBBT21G

GA0805A270FBBBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容27 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-