IRLB3036 时间：2025/5/12 14:35:17 阅读：8

IRLB3036是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。
　　IRLB3036以其低导通电阻和快速开关速度著称，适合在高频条件下使用，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。

参数

型号：IRLB3036
　　封装：SO-8
　　Vds（漏源电压）：55V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
　　Id（连续漏极电流）：97A
　　Vgs(th)（栅极开启电压）：2.1V
　　输入电容：1180pF
　　总栅极电荷：26nC
　　功耗：155W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

IRLB3036是一款专为高效能应用设计的功率MOSFET，具有以下特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在4.5V的Vgs下仅为4.5mΩ，有助于减少传导损耗。
　　2. 快速开关性能，其总栅极电荷仅为26nC，确保了高速开关操作下的高效率。
　　3. 支持大电流，连续漏极电流高达97A，适用于高功率场景。
　　4. 宽泛的工作电压范围（55V），适应多种电路需求。
　　5. 工作温度范围广（-55°C至+150°C），使其能够在极端环境下可靠运行。
　　6. SO-8封装小巧紧凑，便于安装与散热管理。
　　这些特性使得IRLB3036成为众多电力电子设备的理想选择，特别是在追求高效率和高性能的应用场合中表现优异。

应用

IRLB3036适用于各种需要高效功率转换和控制的场景，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率级开关管。
　　3. 电动工具、家用电器以及其他小型电机的驱动电路。
　　4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
　　5. 大功率LED驱动器中的关键功率元件。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，IRLB3036成为许多工程师在设计功率转换及控制系统时的首选元器件。