型号：CMI100505VR15K
　　制造商：华新科（Walsin）
　　封装/尺寸：0402（1005）
　　电容值：0.15pF
　　容差：±0.05pF
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：NPO（COG）
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　端接类型：Ni Barrier（镍阻挡层）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS合规，无卤素

CMI100505VR15K所采用的NPO（等同于COG）陶瓷介质是目前最稳定的电容器介质之一，具有几乎为零的电容随温度变化率，典型温度系数为0±30ppm/°C，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值保持高度稳定，不会出现像X7R或Y5V类介质那样的显著容量漂移现象。这种稳定性使其成为高频和精密模拟电路中的首选元件。该器件的电容值仅为0.15pF，属于超小容量范畴，通常用于射频电路中的阻抗匹配、谐振回路调谐、滤波器微调以及高速数字信号边沿控制等场合。在这些应用中，即使是0.05pF的偏差也可能导致明显的性能下降，因此±0.05pF的严格容差显得尤为重要。
　　该电容采用0402（1.0mm x 0.5mm）小型化封装，在保证可自动化贴片的同时最大限度节省PCB空间，非常适合高集成度的移动设备设计。其50V的额定电压远高于一般射频信号的工作电压，提供了充足的安全裕量，有助于提升长期可靠性。内部结构采用多层叠膜工艺，确保层间对齐精确，减少寄生电感，从而获得较低的等效串联电感（ESL）和较高的自谐振频率（SRF），使其在GHz频段仍能保持接近理想电容的行为。此外，镍阻挡层端接技术有效防止了银离子迁移问题，增强了在潮湿环境下的耐久性与可靠性。该器件还具备优异的机械强度和抗热循环能力，能够承受多次回流焊过程而不损伤。整体而言，CMI100505VR15K是一款专为高性能、高稳定性需求设计的小信号电容解决方案。

CMI100505VR15K主要用于高频和超高频电子系统中，尤其是在对电容稳定性、温度特性和高频响应有严格要求的场景。一个典型应用是在射频前端模块（RF Front-End Module）中作为匹配网络的一部分，用于调节天线、功率放大器或低噪声放大器之间的阻抗匹配，以最大化信号传输效率并减少反射损耗。在无线通信设备如智能手机、物联网节点、Wi-Fi路由器和蓝牙耳机中，这类微型高精度电容常被用于2.4GHz、5GHz甚至毫米波频段的匹配电路。
　　另一个重要应用是在压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）电路中，作为调谐电容或负载电容使用。由于NPO材质的电容值几乎不随温度变化，可以显著提高频率源的长期稳定性和温度适应性，避免因环境温度波动引起的频率偏移。此外，在滤波器设计中，特别是带通、带阻和高阶LC滤波器中，CMI100505VR15K可用于微调谐振点，实现精确的频率选择特性。
　　该器件也适用于高速数字电路中的信号完整性优化，例如在高速时钟线路或差分对附近进行微小电容补偿，以抑制过冲、振铃或调整传播延迟。在测试测量仪器、射频识别（RFID）读写器、卫星导航接收机和雷达传感器等高端电子设备中，CMI100505VR15K因其可靠性和一致性而被广泛采纳。

C1005C0G1H150J