时间：2025/7/1 2:09:09
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FM43X474K251EFG 是一颗基于 FRAM（铁电随机存取存储器）技术的非易失性存储芯片。FRAM 结合了 RAM 和 ROM 的特性，具有快速写入、低功耗和高耐用性的特点。该芯片适用于需要频繁数据写入和长时间数据保存的应用场景。
该型号属于 Fujitsu（富士通）推出的 FRAM 系列产品，广泛应用于工业控制、医疗设备、汽车电子以及消费类电子产品中。
容量：4Mbit
接口类型：SPI
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOP-8
数据保留时间：超过10年
写入次数：10^12 次
FM43X474K251EFG 具备以下显著特性：
1. 高速写入：FRAM 技术允许以接近 SRAM 的速度进行数据写入，而无需等待擦除周期。
2. 超低功耗：在数据写入时消耗的能量远低于 EEPROM 和闪存。
3. 非易失性：即使断电，数据也能永久保存。
4. 高耐久性：支持高达 10^12 次写入/擦除循环，适合频繁写入的应用。
5. 宽工作电压范围：兼容多种电源系统。
6. 小型封装：采用 SOP-8 封装，节省 PCB 空间。
7. 工业级温度范围：确保在极端环境下的可靠运行。
该芯片适用于以下领域：
1. 数据记录：如电力仪表、燃气表等设备中的瞬态数据记录。
2. 工业自动化：用于实时数据采集和存储。
3. 医疗设备：例如便携式健康监测仪器的数据存储。
4. 汽车电子：如事件数据记录器 (EDR) 或黑匣子。
5. 消费类电子：如打印机缓存或家用电器的状态保存。
6. 物联网 (IoT)：作为节点设备的数据存储介质，满足低功耗和高频率写入需求。
FM25L16B, MB85RC16TA
