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SI3454ADV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/29 15:10:04 查看 阅读:7

SI3454ADV-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的高性能 N 沃林顿(N-Well)MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等场景。该器件采用 TSSOP20 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在高频条件下工作。
  此 MOSFET 的设计旨在优化功率效率并减少热耗散,适用于需要高效能和可靠性的应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:920pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI3454ADV-T1-E3 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.8mΩ,这使得它能够在大电流应用中保持较低的功耗和温升。
  此外,该器件具备快速开关性能,栅极电荷仅为 35nC,从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
  其封装形式 TSSOP20 提供了良好的散热特性和电气隔离,同时兼容表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产。
  器件的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +175°C,确保在极端环境下的稳定运行。此外,该产品符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

该 MOSFET 可用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 各类工业控制设备及汽车电子系统的功率管理部分。
  凭借其卓越的性能指标,SI3454ADV-T1-E3 成为需要高效率和高可靠性的设计的理想选择。

替代型号

SI3454ADP-T1-E3
  SI3454ADY-T1-E3

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SI3454ADV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3454ADV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3454ADV-T1-E3TR