SI3454ADV-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的高性能 N 沃林顿(N-Well)MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等场景。该器件采用 TSSOP20 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合在高频条件下工作。
此 MOSFET 的设计旨在优化功率效率并减少热耗散,适用于需要高效能和可靠性的应用环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:35nC
总电容:920pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SI3454ADV-T1-E3 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 1.8mΩ,这使得它能够在大电流应用中保持较低的功耗和温升。
此外,该器件具备快速开关性能,栅极电荷仅为 35nC,从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
其封装形式 TSSOP20 提供了良好的散热特性和电气隔离,同时兼容表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产。
器件的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +175°C,确保在极端环境下的稳定运行。此外,该产品符合 RoHS 标准,满足环保要求。
该 MOSFET 可用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各类工业控制设备及汽车电子系统的功率管理部分。
凭借其卓越的性能指标,SI3454ADV-T1-E3 成为需要高效率和高可靠性的设计的理想选择。
SI3454ADP-T1-E3
SI3454ADY-T1-E3