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H26M64103EMRI 发布时间 时间:2025/9/1 18:09:00 查看 阅读:8

H26M64103EMRI 是一颗由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片的型号H26M64103EMRI通常用于需要大容量内存的嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备中,以提供高速的数据存取能力。该芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性,适合对性能和功耗有较高要求的应用场景。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:4M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大频率:100MHz

特性

H26M64103EMRI 芯片具有多项显著的技术特性,使其在众多应用中表现出色。首先,该芯片的存储容量为64Mbit,采用4M x 16的组织方式,能够满足大容量数据存储的需求。其工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,这使得该芯片可以在多种电源条件下稳定运行,增加了其适用性。
  其次,该芯片的访问时间为10ns,具有较快的数据存取速度,适合对性能有较高要求的应用。此外,它的最大工作频率为100MHz,确保了在高频率下的稳定运行。H26M64103EMRI的工作温度范围为-40°C至+85°C,使其能够在恶劣的工业环境和高温条件下正常工作,提升了系统的可靠性。

应用

H26M64103EMRI 芯片广泛应用于多个领域。在工业控制方面,该芯片常用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机以及自动化设备,提供高速、大容量的内存支持。在通信设备中,如路由器、交换机和基站设备,H26M64103EMRI能够满足高带宽数据传输的需求。此外,它也适用于嵌入式系统,如智能仪表、医疗设备和安防监控设备,在这些设备中起到关键的内存支持作用。由于其宽温工作特性,该芯片也常用于车载电子系统、航空航天设备等对环境适应性要求较高的应用场景。

替代型号

H26M64103EMRI 可以被以下型号替代:H26M64103EFRI、H26M64103EMRIR、H26M64103EFRIR等。这些替代型号在电气特性和封装形式上与H26M64103EMRI相似,具有良好的兼容性,适合不同的应用需求。

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